参数资料
型号: UPA801TC
厂商: NEC Corp.
英文描述: NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
中文描述: NPN硅外延晶体管,配有2个2SC5006平引脚6引脚薄型超超级MINIMOLD
文件页数: 9/12页
文件大小: 76K
代理商: UPA801TC
μ
PA801TC
Data Sheet P14548EJ1V1DS00
9
PACKAGE DIMENSIONS
FLAT-LEAD 6 PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD (UNIT: mm)
B1
6
C1
1
B2
5
E1
2
E2
C2
3
(Top View)
PIN CONNECTIONS
1. Collector (Q1)
2. Emitter (Q1)
3. Collector (Q2)
4. Emitter (Q2)
5. Base (Q2)
6. Base (Q1)
1
2
3
6
5
4
7
1.50±0.1
1.10±0.1
1
0
0
0
0
0
+
0
+
Q1
Q2
4
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PDF描述
UPA801TF NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
UPA801T NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
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UPA801TF-T1 BJT
UPA801TC-T1 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
相关代理商/技术参数
参数描述
UPA801TC-T1 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
UPA801TF 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
UPA801TF-T1 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:BJT
UPA801T-T1 功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
UPA801T-T1-A 功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel