- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录3972 > UPD44646183AF5-E22-FQ1-A (Renesas Electronics America)SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | UPD44646183AF5-E22-FQ1-A |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 21/42页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步，DDR II+ |
| 存储容量： | 72M（4M x 18） |
| 速度： | 450MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 165-LBGA |
| 供应商设备封装： | 165-PBGA（13x15） |
| 包装： | 散装 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页当前第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页
μ PD44646092A-A, 44646182A-A, 44646362A-A, 44646093A-A, 44646183A-A, 44646363A-A
4. V DD slew rate must be less than 0.1 V DC per 50 ns for DLL/PLL lock retention.
DLL/PLL lock time begins once V DD and input clock are stable.
It is recommended that the device is kept NOP (LD# = HIGH) during these cycles.
5. K input is monitored for this operation. See below for the timing.
K
or
TKC reset
K
TKC reset
6. Guaranteed by design.
7. Echo clock is very tightly controlled to data valid / data hold. By design, there is a ± 0.1 ns variation from
echo clock to data. The data sheet parameters reflect tester guardbands and test setup variations.
8. This is a synchronous device. All addresses, data and control lines must meet the specified setup
and hold times for all latching clock edges.
Remarks 1. This parameter is sampled.
2. Test conditions as specified with the output loading as shown in AC Test Conditions
unless otherwise noted.
3. Control input signals may not be operated with pulse widths less than TKHKL (MIN.).
4. V DD Q is 1.5 V DC.
Data Sheet M19960EJ2V0DS
19
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RMC60DTEN | CONN EDGECARD 120PS .100 EYELET |
| UPD44646183AF5-E22-FQ1 | SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA |
| IDT70T3589S133BC | IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA |
| RMC60DTEH | CONN EDGECARD 120PS .100 EYELET |
| IDT70T3399S133BC | IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UPD44646183AF5-E25-FQ1 | 功能描述:SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| UPD44646183AF5-E25-FQ1-A | 功能描述:SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| UPD44646363AF5-E22-FQ1 | 功能描述:SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| UPD44646363AF5-E22-FQ1-A | 功能描述:SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| UPD44646363AF5-E25-FQ1 | 功能描述:SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。