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参数资料
| 型号： | UPD5702TU-A |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PWR AMP 2.4GHZ 8-L2MM |
| 标准包装： | 1 |
| 频率： | 1.9GHz ~ 2.4GHz |
| RF 型： | 802.15.1/蓝牙，PHS |
| 电源电压： | 3V |
| 电流 - 电源： | 150mA |
| 封装/外壳： | 8-MINIMOLD |
| 包装： | 散装 |
μ PD5702TU
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(f = 2.4 GHz, T A = +25 ° C, unless otherwise specified, using our standard test fixture.)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
V DS = 3.3 V
I DS
Gate to Source Voltage
Power Added Efficiency
Drain Current
Input Return Loss
Output Return Loss
Output Power
Power Gain
V GS
PAE
Note
IRL
ORL
P out
G P
P in = +2 dBm
P out = +22.0 dBm
P in = ? 20 dBm
P in = +2 dBm
?
?
?
?
?
22.0
20.0
1.9
28.0
180
10
10
?
?
?
?
?
?
?
?
?
V
%
mA
dB
dB
dBm
dB
V DS = 3.0 V
I DS
Gate to Source Voltage
Power Added Efficiency
Drain Current
Input Return Loss
Output Return Loss
Output Power
Power Gain
V GS
PAE
Note
IRL
ORL
P out
G P
P in = +2 dBm
P out = +21.0 dBm
P in = ? 20 dBm
P in = +2 dBm
?
?
?
?
?
21.0
19.0
1.9
27.5
150
10
10
?
?
?
?
?
?
?
?
?
V
%
mA
dB
dB
dBm
dB
Note I DS is total Drain currents of Q1 and Q2 part.
DC CHARACTERISTICS (T A = +25 ° C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Q1
On-state Resistance1
Drain to Source Breakdown
R on1
BV DSS1
V DS = 0.1 V, V GS = 6 V
I DS = 1.4 μ A
?
10.0
4.35
?
?
?
?
V
Voltage1
Gate to Source Breakdown
BV GSS1
I GS = 1.4 μ A
4.0
?
?
V
Voltage1
Gate Threshold Voltage1
Transconductance1
V th1
g m1
V DS = 3.5 V, I DS = 1.4 mA
V DS = 3.5 V, I DS = 25 mA
1.15
50
1.40
70
1.65
?
V
mS
Q2
On-state Resistance2
Drain to Source Breakdown
R on2
BV DSS2
V DS = 0.1 V, V GS = 6 V
I DS = 8.0 μ A
?
10.0
1.02
?
?
?
?
V
Voltage2
Gate to Source Breakdown
BV GSS2
I GS = 8.0 μ A
4.0
?
?
V
Voltage2
Gate Threshold Voltage2
Transconductance2
V th2
g m2
V DS = 3.5 V, I DS = 8.0 mA
V DS = 3.5 V, I DS = 150 mA
1.15
290
1.40
370
1.65
?
V
mS
4
Preliminary Data Sheet PU10455EJ01V0DS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A41-43-28L | XFRMR PWR 28VCT 1.5A 18AWG |
| LP0603N5500ANTR | FILTER LOW PASS 5.5GHZ 0603 SMD |
| FQPF6N90C | MOSFET N-CH 900V 6A TO-220F |
| Z-01HS-B | SWTCH SPDT 0.1A SLIM SPRNG PLNGR |
| UPC2712TB-E3 | MMIC AMP 2.6GHZ SOT363 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UPD5702TU-E1 | 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Si ICs |
| UPD5702TU-E2-A | 功能描述:射频放大器 Med Power Driver Amp RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
| UPD5702TU-EV09 | 功能描述:放大器 IC 开发工具 For UPD5702TU-A at 900 Mhz RoHS:否 制造商:International Rectifier 产品:Demonstration Boards 类型:Power Amplifiers 工具用于评估:IR4302 工作电源电压:13 V to 23 V |
| UPD5702TU-EV24 | 功能描述:放大器 IC 开发工具 For UPD5702TU-A at 2.4 GHz RoHS:否 制造商:International Rectifier 产品:Demonstration Boards 类型:Power Amplifiers 工具用于评估:IR4302 工作电源电压:13 V to 23 V |
| UPD5710TK | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:NECs WIDE BAND SINGLE CONTROL CMOS SPDT SWITCH |
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