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参数资料
型号： UPD70F3451GC-UBT-A
厂商： Renesas Electronics America
文件页数： 185/352页
文件大小： 0K
描述： MCU 32BIT 128KB FLASH 80LQFP
标准包装： 400
系列： V850E/Ix3
核心处理器： V850ES
芯体尺寸： 32-位
速度： 64MHz
连通性： CSI，I²C，UART/USART
外围设备： DMA，LVD，PWM，WDT
输入/输出数： 44
程序存储器容量： 128KB（128K x 8）
程序存储器类型： 闪存
RAM 容量： 8K x 8
电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： 3.5 V ~ 5.5 V
数据转换器： A/D 10x12b，4x10b
振荡器型： 外部
工作温度： -40°C ~ 85°C
封装/外壳： 80-LQFP
包装： 托盘
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2011-2012 Microchip Technology Inc.
DS39995C-page 265
PIC24FV32KA304 FAMILY
TABLE 29-1:
THERMAL OPERATING CONDITIONS
Rating
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Operating Junction Temperature Range
TJ
-40
—
+125
°C
Operating Ambient Temperature Range
TA
-40
—
+85
°C
Power Dissipation:
Internal Chip Power Dissipation:
PINT = VDD x (IDD –
IOH)
PD
PINT + PI/O
W
I/O Pin Power Dissipation:
PI/O =
({VDD – VOH} x IOH) + (VOL x IOL)
Maximum Allowed Power Dissipation
PDMAX
(TJ – TA)/
JA
W
TABLE 29-2:
THERMAL PACKAGING CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Typ
Max
Unit
Notes
Package Thermal Resistance, 20-Pin SPDIP
JA
62.4
—
°C/W
1
Package Thermal Resistance, 28-Pin SPDIP
JA
60
—
°C/W
1
Package Thermal Resistance, 20-Pin SSOP
JA
108
—
°C/W
1
Package Thermal Resistance, 28-Pin SSOP
JA
71
—
°C/W
1
Package Thermal Resistance, 20-Pin SOIC
JA
75
—
°C/W
1
Package Thermal Resistance, 28-Pin SOIC
JA
80.2
—
°C/W
1
Package Thermal Resistance, 28-Pin QFN
JA
32
—
°C/W
1
Package Thermal Resistance, 44-Pin QFN
JA
29
—
°C/W
1
Package Thermal Resistance, 48-Pin UQFN
JA
——
°C/W
1
Note 1:
Junction to ambient thermal resistance, Theta-JA (
JA) numbers are achieved by package simulations.
TABLE 29-3:
DC CHARACTERISTICS: TEMPERATURE AND VOLTAGE SPECIFICATIONS
DC CHARACTERISTICS
Standard Operating Conditions: 1.8V to 3.6V PIC24F32KA3XX
2.0V to 5.5V PIC24FV32KA3XX
Operating temperature
-40°C
TA +85°C for Industrial
Param
No.
Symbol
Characteristic
Min
Typ(1)
Max Units
Conditions
DC10
VDD
Supply Voltage
1.8
—
3.6
V
For F devices
2.0
—
5.5
V
For FV devices
DC12
VDR
RAM Data Retention
Voltage(2)
1.5
—
V
For F devices
1.7
—
V
For FV devices
DC16
VPOR
VDD Start Voltage
to Ensure Internal
Power-on Reset Signal
VSS
—0.7
V
DC17
SVDD
VDD Rise Rate
to Ensure Internal
Power-on Reset Signal
0.05
—
V/ms 0-3.3V in 0.1s
0-2.5V in 60 ms
Note 1:
Data in “Typ” column is at 3.3V, +25°C unless otherwise stated. Parameters are for design guidance only
and are not tested.
2:
This is the limit to which VDD can be lowered without losing RAM data.
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PDF描述
VE-210-CV-B1 CONVERTER MOD DC/DC 5V 150W
VI-210-CV-B1 CONVERTER MOD DC/DC 5V 150W
VI-BWD-IV CONVERTER MOD DC/DC 85V 150W
CY8CLED01D01-56LTXI IC MCU 16K FLASH 1K SRAM 56VQFN
PI5A100W IC SWITCH QUAD SPDT 16SOIC
相关代理商/技术参数
参数描述
UPD70F3452GC(R)-UBT-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:V850/IF3 MCU, 256KB FLASH, 12KB RAM, 80-LQFP - Trays 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:IC MCU 32BIT 256KB FLASH 80LQFP
UPD70F3452GC-UBT-A 功能描述:MCU 32BIT 256KB FLASH 80LQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:V850E/Ix3 标准包装:250 系列:80C 核心处理器:8051 芯体尺寸:8-位 速度:16MHz 连通性:EBI/EMI，I²C，UART/USART 外围设备:POR，PWM，WDT 输入/输出数:40 程序存储器容量:- 程序存储器类型:ROMless EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):4.5 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 8x10b 振荡器型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:68-LCC（J 形引线） 包装:带卷 (TR)
UPD70F3453GC(R)-8EA-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:V850/IG3 MCU, 128KB FLASH, 8KB RAM, 100-LQFP - Trays 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:IC MCU 32BIT 128KB FLASH 100LQFP
UPD70F3453GC-8EA-A 功能描述:MCU 32BIT 128KB FLASH 100LQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:V850E/Ix3 标准包装:250 系列:80C 核心处理器:8051 芯体尺寸:8-位 速度:16MHz 连通性:EBI/EMI，I²C，UART/USART 外围设备:POR，PWM，WDT 输入/输出数:40 程序存储器容量:- 程序存储器类型:ROMless EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):4.5 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 8x10b 振荡器型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:68-LCC（J 形引线） 包装:带卷 (TR)
UPD70F3453GF(R)-GAS-AX 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:V850/IG3 MCU, 128KB FLASH, 8KB RAM, 100-LQFP - Trays 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MCU 32BIT 128KB FLASH 100LQFP
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