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参数资料
| 型号： | US104S-4 |
| 厂商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 4 A, 400 V, SCR, TO-220AB |
| 封装： | TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 192K |
| 代理商： | US104S-4 |
UTC US104S/N
SCR
UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.
3
QW-R301-011,C
0.0
2.0
4.0
0.5
1.0
1.5
2.5
2.0
0.0
Fig.1:Maximum average power dissipation vs
average on-state current
3.0
P/W
3.5
3.0
2.5
1.5
1.0
0.5
5.0
4.0
Figure.2:Average and D.C. on-state current
vs case temperature
0
4.5
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
25
50
75
100
125
IT(av)(A)
D C
α
=180°
Tcase(℃)
2.0
1.6
Figure.3:Relative variation of gate trigger current
and holding current vs junction temperature.
-40
1.8
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
IGT,IH,IL(TJ)/IGT,IH,IL (TJ=25℃)
Tj(℃)
IGT
IH&IL
Rgk=1kΩ
Figure.4:Relative variation of holding current vs
gate-cathode vesistance(typical values).
IT(av)(A)
α=180°
α
360°
5
4
3
2
1
0
IH(Rgk)/IH(Rgk=1kΩ)
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
Rgk(kΩ)
Tj=25℃
Fig.5: Relative variation of dV/dt immunity vs gate-
cathode resistance(typical values).
0
2
10
2
46
0
Fig.6: Relative variation of dV/dt immunity vs gate-
cathode resistance(typical values).
8
18
16
14
12
10
820
6
4
dV/dt(Cgk)/dV/dt(Rgk=220Ω)
22
Cgk(nF)
Tj=125℃
VD=0.67* VDRM
Rgk=220Ω
0.01
0.2 0.4 0.6
0
dV/dt(Rgk)/dV/dt(Rgk=220Ω)
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
2.0
Tj=125℃
VD=0.67* VDRM
Rgk(Ω)
0.10
1.00
10.00
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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