参数资料
型号: US5U2TR
厂商: Rohm Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT5
产品目录绘图: US5U Series TUMT-5
特色产品: ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 240 毫欧 @ 1.4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 2nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 70pF @ 10V
功率 - 最大: 700mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TUMT5
供应商设备封装: TUMT5
包装: 标准包装
产品目录页面: 1639 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: US5U2DKR
US5U2
Transistors
4V Drive Nch+SBD MOSFET
US5U2
Structure
Silicon N-channel MOSFET /
Schottky barrier diode
Dimensions (Unit : mm)
TUMT5
2.0
1.3
Features
1) Nch MOSFET and schottky barrier diode
are put in TUMT5 package.
2) High-speed switching, Low On-resistance.
3) 4V drive.
4) Built-in Low V F schottky barrier diode.
Applications
Switching
Packaging specifications
Inner circuit
Abbreviated symbol : U02
Type
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
TR
3000
(5)
(4)
US5U2
? 2
? 1
(1)Gate
(2)Source
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
<MOSFET>
(1) (2)
? 1 ESD protection diode
? 2 Body diode
(3)
(3)Anode
(4)Cathode
(5)Drain
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
30
20
Unit
V
V
Drain current
Source current
(Body diode)
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP ? 1
I S
I SP ? 1
± 1.4
± 5.6
0.6
5.6
A
A
A
A
Power dissipation
Channel temperature
P D
Tch
? 2
0.7
150
W / ELEMENT
° C
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
? 2 Mounted on a ceramic board
Rev.B
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