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参数资料
| 型号： | UT137E-6 |
| 厂商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 600 V, 8 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-220AB |
| 封装： | PLASTIC, TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 187K |
| 代理商： | UT137E-6 |
UTC UT137E
TRIAC
UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD. 2
QW-R401-012,C
THERMAL RESISTANCES
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNIT
Thermal Resistance Junction to Mounting Base
Full cycle
Half cycle
Rth j-mb
2.0
2.4
K/W
Thermal Resistance Junction to Ambient
In free air
Rth j-a
60
K/W
STATIC CHARACTERISTICS (Tj=25°C,unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
Gate Trigger Current
IGT
VD=12V, IT=0.1A
T2+ G+
T2+ G-
T2- G-
T2- G+
2.5
4.0
5.0
11
10
25
mA
Latching Current
IL
VD=12V, IGT=0.1A
T2+ G+
T2+ G-
T2- G-
T2- G+
3.0
14
3.0
4.0
25
35
25
35
mA
Holding Current
IH
VD=12V, IGT=0.1A
2.5
20
mA
On-State Voltage
VT
IT=10A
1.3
1.65
V
VD=12V, IT=0.1A
0.7
1.5
V
Gate Trigger Voltage
VGT
VD=400V, IT=0.1A, Tj=125
°C
0.25
0.4
V
Off-state Leakage Current
ID
VD=VDRM(max) , Tj=125
°C
0.1
0.5
mA
DYNAMIC CHARACTERISTICS(Tj=25°C,unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
Critical Rate of Rise of off-state
Voltage
dVD/dt
VDM=67% VDRM(max), Tj=125
°C
Exponential waveform,Gate
open circuit
50
V/
s
Gate Controlled Turn-on Time
tgt
ITM=12A,VD=VDRM(max),IG=0.1A
dIG/dt=5A/
s
2
s
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PDF描述 |
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