VLF252010MT-R47N-CA

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

VLF252010MT-R47N-CA
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
6000
TDK Corporation
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百正品

VLF252010MT-R47N-CA
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
100
TDK
NA
23+
-
现货！就到京北通宇商城

VLF252010MT-R47N-CA
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
100
TDK
con
#N/A
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价

VLF252010MT-R47N-CA
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13305449939
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
100
TDK
con
#N/A
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价ww...

VLF252010MT-R47N-CA
深圳市华诺星科技有限公司
深圳市华诺星科技有限公司
联系人：胡泽君
电话：18998911795
地址：深圳市福田区振兴西路上步工业区405栋601-602
资质：营业执照
1000
TDK Corporation
原厂封装
20+
-
原装正品，专注原装正品十五年

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您是不是要找： VLF252010MT-R68N VLF252010MT-R68N-CA VLF252012MT-100M VLF252012MT-100M-CA VLF252012MT-150M VLF252012MT-150M-CA VLF252012MT-1R0N VLF252012MT-1R0N-CA VLF252012MT-1R5N

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功能描述
470nH Shielded Wirewound Inductor 3.35A 29 mOhm Max 1008 (2520 Metric)
制造商
tdk corporation
系列
VLF-M-CA
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
类型
绕线
材料 - 磁芯
铁氧体
电感
470nH
容差
±30%
额定电流
3.35A
电流 - 饱和值
2.04A
屏蔽
屏蔽
DC 电阻（DCR）
29 毫欧最大
不同频率时的 Q 值
-
频率 - 自谐振
-
等级
-
工作温度
-40°C ~ 105°C
频率 - 测试
1MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
1008（2520 公制）
大小/尺寸
0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）
高度 - 安装（最大值）
0.039"（1.00mm）
标准包装
1

VLF252010MT-R47N-CA 技术参数

VLF252010MT-R47N 功能描述:470nH Shielded Wirewound Inductor 3.35A 29 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLF-M 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:470nH 容差:±30% 额定电流:3.35A 电流 - 饱和值:1.84A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:29 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 VLF252010MT-6R8M-CA 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 850mA 360 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLF-M-CA 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:6.8μH 容差:±20% 额定电流:850mA 电流 - 饱和值:530mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:360 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 VLF252010MT-6R8M 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 850mA 360 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLF-M 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:6.8μH 容差:±20% 额定电流:850mA 电流 - 饱和值:470mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:360 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 VLF252010MT-4R7M-CA 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 950mA 300 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLF-M-CA 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:4.7μH 容差:±20% 额定电流:950mA 电流 - 饱和值:640mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:300 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 VLF252010MT-4R7M 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 950mA 300 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLF-M 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:4.7μH 容差:±20% 额定电流:950mA 电流 - 饱和值:570mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:300 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 VLF252012MT-1R5N-CA VLF252012MT-220M VLF252012MT-220M-CA VLF252012MT-2R2M VLF252012MT-2R2M-CA VLF252012MT-3R3M VLF252012MT-3R3M-CA VLF252012MT-4R7M VLF252012MT-4R7M-CA VLF252012MT-6R8M VLF252012MT-6R8M-CA VLF252012MT-R47N VLF252012MT-R47N-CA VLF252012MT-R68N VLF252012MT-R68N-CA VLF252015MT-100M VLF252015MT-100M-CA VLF252015MT-150M