配单专家企业名单

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VLS252010MNT-2R2M
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：中国上海
50
TDK
NA
23+
-
查现货！就到京北通宇商城

VLS252010MNT-2R2M
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
100
TDK
NA
23+
-
现货！就到京北通宇商城

VLS252010MNT-2R2M
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13305449939
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
50
TDK
con
23+
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现货常备产品原装可到京北通宇商城查价ww...

VLS252010MNT-2R2M
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：雷小姐
电话：0755-2391507123915070（承诺只售原装正品，终端BOM配单一站式服务）
地址：华强街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
88660
TDK/东电化
SMD
85220
-
★★★真实库存，假一赔十，原厂授权★★★

VLS252010MNT-2R2M
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
原厂品牌
SMD
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

VLS252010MNT-2R2M
深圳市莱特斯电子科技有限公司
深圳市莱特斯电子科技有限公司
联系人：江先生
电话：19176527791
地址：深圳市福田区赛格广场1609A
资质：营业执照
30000
-
NA
21+
-
?代理原装公司现货假一罚十?

VLS252010MNT-2R2M-
深圳市柏新电子科技有限公司
深圳市柏新电子科技有限公司
联系人：林小姐//方先生
电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
38000
TDK
2kreel
2012+
-
只做原装正品。

VLS252010MNT-2R2M
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3855
TDK
252010
2232+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

VLS252010MNT-2R2M
深圳市盛芯世纪科技有限公司
深圳市盛芯世纪科技有限公司
联系人：杨先生，www.dz-ic.cn
电话：0755-8397991513312996395
地址：深圳市福田区中航路都会100大厦B座6F
资质：营业执照
50
TDK
TDK
21+
-
原装正品www.dz-ic.cn

VLS252010MNT-2R2M
深圳市艾飞琪电子科技有限公司
深圳市艾飞琪电子科技有限公司
联系人：曹先生
电话：0755-239499810755-23037082
地址：深圳市福田区都会大厦B座29S
298000
TDK
SMD
16+
-
进口原装现货假一赔十

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VLS252010MNT-2R2M PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

VLS252010MNT-2R2M 技术参数

VLS252010HBX-R68M-1 功能描述:680nH Shielded Wirewound Inductor 2.98A 48 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLS-HBX-1 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:金属电感:680nH 容差:±20% 额定电流:2.98A 电流 - 饱和值:3.62A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:48 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 VLS252010HBX-R47M-1 功能描述:470nH Shielded Wirewound Inductor 3.32A 35 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLS-HBX-1 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:金属电感:470nH 容差:±20% 额定电流:3.32A 电流 - 饱和值:4.53A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:35 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 VLS252010HBX-R33M-1 功能描述:330nH Shielded Wirewound Inductor 3.74A 31 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLS-HBX-1 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:金属电感:330nH 容差:±20% 额定电流:3.74A 电流 - 饱和值:5.03A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:31 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 VLS252010HBX-R24M-1 功能描述:240nH Shielded Wirewound Inductor 3.91A 29 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLS-HBX-1 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:金属电感:240nH 容差:±20% 额定电流:3.91A 电流 - 饱和值:6.55A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:29 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 VLS252010HBX-6R8M-1 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 406 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLS-HBX-1 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:金属电感:6.8μH 容差:±20% 额定电流:1.1A 电流 - 饱和值:750mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:406 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 VLS252012CX-100M VLS252012CX-150M VLS252012CX-1R0M VLS252012CX-1R5M VLS252012CX-220M VLS252012CX-2R2M VLS252012CX-3R3M VLS252012CX-4R7M VLS252012CX-6R8M VLS252012ET-100M VLS252012ET-100M-CA VLS252012ET-1R0N VLS252012ET-1R0N-CA VLS252012ET-1R5N VLS252012ET-1R5N-CA VLS252012ET-2R2M VLS252012ET-2R2M-CA VLS252012ET-3R3M

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