VS-8ETH03STRRPBF

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VS-8ETH03STRRPBF
北京京北通宇电子元件有限公司
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联系人：王女士
电话：13969210552
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
2500
VISHAY
NA
近两年
-
查货可到京北通宇商城www.jbchip...

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深圳市毅创辉电子科技有限公司
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联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
735
VISHAY SE
1521+
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全新原装现货

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深圳廊盛科技有限公司
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联系人：严艺浦
电话：18682365538
地址：上步工业区501栋410室
20000
VISHAY/威世
TO263
23+
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功能描述
整流器 8.0 Amp 300 Volt 35ns
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
产品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向电压
100 V
正向电压下降
恢复时间
1.2 us
正向连续电流
2 A
最大浪涌电流
35 A
反向电流 IR
5 uA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-221AC
封装
Reel

VS-8ETH03STRRPBF 技术参数

VS-8ETH03PBF 功能描述:DIODE GEN PURP 300V 8A TO220AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:FRED Pt? 包装:管件零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 电流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:20μA @ 300V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:50 VS-86HFR40 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 85A DO203AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:85A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 267A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:9mA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-203AB 工作温度 - 结:-65°C ~ 180°C 标准包装:100 VS-86HFR20 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 85A DO203AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:85A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 267A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:9mA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-203AB 工作温度 - 结:-65°C ~ 180°C 标准包装:100 VS-86HFR160 功能描述:DIODE GEN PURP 1.6KV 85A DO203AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1600V（1.6kV）电流 - 平均整流（Io）:85A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 267A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:4.5mA @ 1600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-203AB 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:100 VS-86HFR120 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 85A DO203AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:85A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 267A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:9mA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-203AB 工作温度 - 结:-65°C ~ 180°C 标准包装:100 VS-8ETH06STRLPBF VS-8ETH06STRRHM3 VS-8ETH06STRRPBF VS-8ETL06-1PBF VS-8ETL06FP-N3 VS-8ETL06FPPBF VS-8ETL06-N3 VS-8ETL06PBF VS-8ETL06SPBF VS-8ETL06STRLPBF VS-8ETL06STRRPBF VS-8ETU04-1HM3 VS-8ETU04-1PBF VS-8ETU04HN3 VS-8ETU04-N3 VS-8ETU04PBF VS-8ETU04SHM3 VS-8ETU04SPBF