| 型号： | V20120SG-E3/4W |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 155K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-220AB |
| 产品目录绘图： | TO-220AB Pin Out Circuit |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | TMBS® |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 120V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 20A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.33V @ 20A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 250µA @ 120V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | V20120SG-E3/4WGI |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EBC08DRYH-S93 | CONN EDGECARD 16POS DIP .100 SLD |
| R1D12-1215/H-R | CONV DC/DC 1W 12VIN +/-15VOUT |
| VB20150SG-E3/4W | DIODE 20A 150V SGL SCHOTTKY |
| R1D12-1212/P-R | CONV DC/DC 1W 12VIN +/-12VOUT |
| R1D12-1212/H-R | CONV DC/DC 1W 12VIN +/-12VOUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| V20120SGHM3/4W | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:20A,120V,TRENCH SKY RECT. |
| V20120SGHM3-4W | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
| V20120SG-M3/4W | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:20A,120V,TRENCH SKY RECT. |
| V20120SG-M3-4W | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
| V20120SHM3/4W | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:20A,120V,TRENCH SKY RECT. |