参数资料
型号: V20200C-E3/4W
厂商: Vishay General Semiconductor
文件页数: 4/5页
文件大小: 155K
描述: DIODE 20A 200V SCHOTTKY TO220-3
标准包装: 1,000
系列: TMBS®
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.6V @ 10A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 150µA @ 200V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 10A
电压 - (Vr)(最大): 200V
二极管类型: 肖特基
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220AB
包装: 管件
New Product
V20200C, VF20200C, VB20200C & VI20200C
Vishay General Semiconductor
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Document Number: 89072
Revision: 24-Jun-09
4
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS
in inches (millimeters)
TO-220AB
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
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PIN
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(0.70)
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(3.74)
1
3
2
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(2
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ITO-220AB
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PIN
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2
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7° REF.
7° REF.
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TO-262AA
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K
123
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PIN
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(REF.)
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TO-263AB
Mounting
Pad Layout
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N.
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12K
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K
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0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
MIN.
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PDF描述
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GBM24DCTI CONN EDGECARD 48POS DIP .156 SLD
396-050-540-202 CARD EDGE 50POS DL .125X.250 BLK
396-050-540-201 CARD EDGE 50POS DL .125X.250 BLK
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参数描述
V20200G 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V20200G-E3/4W 功能描述:肖特基二极管与整流器 20 Amp 200 Volt Dual 110 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
V20200G-E3-4W 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
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