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参数资料
| 型号： | V58C2128164SBLJ7 |
| 厂商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA60 |
| 封装： | LEAD FREE, MO-233, FBGA-60 |
| 文件页数： | 6/62页 |
| 文件大小： | 977K |
| 代理商： | V58C2128164SBLJ7 |
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V58C2128(804/404/164)SB Rev. 1.1 March 2004
ProMOS TECHNOLOGIES
V58C2128(804/404/164)SB
Data Strobe Preamble and Postamble Timings for DDR Read Cycles
Consecutive Burst Read Operation and Effects on the Data Strobe Preamble and Postamble
(CAS Latency = 2; Burst Length = 2)
T0
T1
T2
T3
T4
READ
NOP
D0
D1
CK, CK
Command
DQS
DQ
tRPRE(max)
tRPST(min)
tRPRE(min)
tRPST(max)
tDQSQ(max)
tDQSQ(min)
NOP
ReadB
NOP
ReadA
D0A D1A
NOP
D2A D3A
Command
DQS
DQ
Burst Read Operation (CAS Latency = 2; Burst Length = 4)
CK, CK
NOP
D0B D1B D2B D3B
NOP
ReadB
NOP
ReadA
D0A D1A
NOP
D2A D3A
Command
DQS
DQ
Burst Read Operation (CAS Latency = 2; Burst Length = 4)
CK, CK
NOP
D0B D1B D2B D3B
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