| 型号： | V8P10-E3/86A |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 8A 100V SMPC |
| 产品目录绘图： | SMPC Circuit SMPC Pin Out |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | eSMP™, TMBS® |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 8A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 680mV @ 8A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 70µA @ 100V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-277，3-PowerDFN |
| 供应商设备封装： | TO-277A |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | V8P10-E3/86AGIDKR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 345-062-542-804 | CARDEDGE 62POS DUAL .100 GREEN |
| GEM12DTBI | CONN EDGECARD 24POS R/A .156 SLD |
| BAS40-04T-7 | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT-523 |
| 346-036-500-201 | CARDEDGE 36POS DUAL .125 GREEN |
| DC1623A | BOARD EVAL LTM8003 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| V8P10-E387A | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
| V8P10HE3/86A | 功能描述:肖特基二极管与整流器 8.0 Amp 100 Volt Single TrenchMOS RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| V8P10HE3/87A | 功能描述:肖特基二极管与整流器 8.0 Amp 100 Volt Single TrenchMOS RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| V8P10HE386A | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
| V8P10HE387A | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |