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参数资料
| 型号： | V8P10-G3/86A |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A |
| 封装： | GREEN, PLASTIC, SMPC, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | V8P10-G3/86A |
New Product
V8P10
Vishay General Semiconductor
www.vishay.com
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Document Number: 89005
Revision: 26-May-08
2
Notes:
(1) Pulse test: 300 s pulse width, 1 % duty cycle
(2) Pulse test: Pulse width
≤ 40 ms
Note:
(1) Units mounted on recommended P.C.B. 1 oz. pad layout
Note:
(1) Automotive grade AEC Q101 qualified
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
TEST CONDITIONS
SYMBOL
TYP.
MAX.
UNIT
Breakdown voltage
IR = 1.0 mA
TA = 25 °C
VBR
100 (minimum)
-
V
Instantaneous forward voltage (1)
IF = 4 A
IF = 8 A
TA = 25 °C
VF
0.522
0.643
-
0.68
V
IF = 4 A
IF = 8 A
TA = 125 °C
0.466
0.582
-
0.62
Reverse current (2)
VR = 70 V
TA = 25 °C
TA = 125 °C
IR
4.7
3.0
-
A
mA
VR = 100 V
TA = 25 °C
TA = 125 °C
14.5
7.0
70
15
A
mA
THERMAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
SYMBOL
V8P10
UNIT
Typical thermal resistance
RθJA
(1)
RθJL
60
3
°C/W
ORDERING INFORMATION (Example)
PREFERRED P/N
UNIT WEIGHT (g)
PREFERRED PACKAGE CODE
BASE QUANTITY
DELIVERY MODE
V8P10-E3/86A
0.10
86A
1500
7" diameter plastic tape and reel
V8P10-E3/87A
0.10
87A
6500
13" diameter plastic tape and reel
V8P10HE3/86A (1)
0.10
86A
1500
7" diameter plastic tape and reel
V8P10HE3/87A (1)
0.10
87A
6500
13" diameter plastic tape and reel
V8P10-G3/86A
0.10
86A
1500
7" diameter plastic tape and reel
V8P10-G3/87A
0.10
87A
6500
13" diameter plastic tape and reel
V8P10HG3/86A (1)
0.10
86A
1500
7" diameter plastic tape and reel
V8P10HG3/87A (1)
0.10
87A
6500
13" diameter plastic tape and reel
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V8P10HG3/87A | 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A |
| V91F565U24QCFW-F5 | 128M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.45 ns, DMA240 |
| VA75-NM-NM-60 | INTERCONNECTION DEVICE |
| VA26-TP-N-60 | INTERCONNECTION DEVICE |
| VA40-TP-2.92-60 | INTERCONNECTION DEVICE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| V8P10HE3/86A | 功能描述:肖特基二极管与整流器 8.0 Amp 100 Volt Single TrenchMOS RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| V8P10HE3/87A | 功能描述:肖特基二极管与整流器 8.0 Amp 100 Volt Single TrenchMOS RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| V8P10HE386A | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
| V8P10HE387A | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
| V8P10HM3/86A | 功能描述:肖特基二极管与整流器 8.0 Amp 100 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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