| 型号： | VB30120S-E3/4W |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 155K |
| 描述： | DIODE 30A 120V SIGNLE SCHOTTKY |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | TMBS® |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 120V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 30A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.1V @ 30A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500µA @ 120V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 管件 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BRL2515T2R2M | INDUCTR 2.2UH 1.00A 20% 1006 SMD |
| R1D12-1505/H-R | CONV DC/DC 1W 15VIN +/-05VOUT |
| R1D12-123.3/P-R | CONV DC/DC 1W 12VIN +/-3.3VOUT |
| GBM08DRST | CONN EDGECARD 16POS DIP .156 SLD |
| GEM11DREI | CONN EDGECARD 22POS .156 EYELET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| VB30120SG | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.47 V at IF = 5 A |
| VB30120SG-E3/4W | 功能描述:肖特基二极管与整流器 30 Amp 120 Volt Single TrenchMOS RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| VB30120SG-E3/8W | 功能描述:肖特基二极管与整流器 30 Amp 120 Volt Single TrenchMOS RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| VB30120SG-E3-4W | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
| VB30120SG-E3-8W | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |