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参数资料
| 型号： | VDZ9.1B |
| 厂商： | Rohm CO.,LTD. |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 中文描述： | 250 的低电流运算，低反向泄露，低噪声稳压二极管 |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 178K |
| 代理商： | VDZ9.1B |
VDZ18B
Diodes
Rev.A
1/4
Zener diode
VDZ18B
Application
External dimensions (Unit : mm)
Land size figure (Unit : mm)
Voltage regulation
VMD2
0.5
1.
2
0.
5
Features
1) Ultra small mold type (VMD2).
2) High reliability.
3) By chip-mounter, automatic mounting
is possible.
Structure
ROHM : VMD2
dot (year week factory)
EX. VDZ3.6B
0.13±0.03
0.5±0.05
0.27±0.03
0.6±0.05
1.
0
±
0.
05
1
.4±
0.
0
5
Construction
Silicon Epitaxial Planer
Taping specification (Unit : mm)
0.76±0.1
4±0.1
2±0.05
φ1.5+0.1
0
3
.5±
0.
05
1
.75±
0.
1
8
.0±
0.
3
0
.1
0.18±0.05
0.65±0.05
φ0.5
0.
4
2±0.05
0.3
1.
11
±
0
.0
5
2
.1±
0.
1
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Symbol
Unit
Pm
Tj
℃
Tstg
℃
Topr
℃
Operating temperature
-55 to +150
Parameter
Junction temperature
Storage temperature
Power dissipation
Limits
150
-55 to +150
100
W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| VDZT2R11B | 功能描述:稳压二极管 100MW 11V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| VDZT2R12B | 功能描述:稳压二极管 100MW 12V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| VDZT2R13B | 功能描述:稳压二极管 100MW 13V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| VDZT2R15B | 功能描述:稳压二极管 100MW 15V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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