参数资料
型号: VESD12A1C-HD1-GS08
厂商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: 92 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
封装: GREEN, LLP1006-2L, 2 PIN
文件页数: 3/7页
文件大小: 119K
代理商: VESD12A1C-HD1-GS08
VESD12A1C-HD1
Document Number 81799
Rev. 1.2, 02-Sep-08
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
3
For technical support, please contact: ESD-Protection@vishay.com
Typical Characteristics
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Figure 1. 8/20 s Peak Pulse Current Wave Form
(acc. IEC 61000-4-5)
Figure 2. ESD Discharge Current Wave Form
acc. IEC 61000-4-2 (330
Ω/150 pF)
Figure 3. Typical Capacitance CD vs. Reverse Voltage VR
0 %
20 %
40 %
60 %
80 %
100 %
010
20
30
40
Time (s)
I PPM
20 s to 50 %
8 s to 100 %
20548
0 %
20 %
40 %
60 %
80 %
100 %
120 %
- 10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Time (ns)
Discharge
C
u
rrent
I
ESD
Rise time = 0.7 ns to 1 ns
53 %
27 %
20557
0
5
10
15
20
25
30
35
01
2345
6
7
8
910 11 12
f = 1 MHz
20678
V
R (V)
C
D
(pF)
Figure 4. Typical Forward Current IF vs. Forward Voltage VF
Figure 5. Typical Reverse Voltage VR vs. Reverse Current IR
Figure 6. Typical Clamping Voltage vs. Peak Pulse Current IPP
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
20679
V
F (V)
I F
(mA)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0.01
0.1
1
10
100
1000 10000
20680
I
R (A)
V
R
(
V
)
0
5
10
15
20
25
0
reverse
forward
20681
I
PP (A)
V
F
/V
C
(
V
)
Measured acc. IEC 61000-4-5
(8/20 s - wave form)
1
234
5
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