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参数资料
| 型号： | VHF15-08IO5 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | RECT BRIDGE 1PH 800V PWS-E-1 |
| 标准包装： | 10 |
| 结构： | 单相电桥 - SCR/二极管（布局 1） |
| SCR 数目，二极管： | 2 SCRs，2 个二极管 |
| 电压 - 断路： | 800V |
| 电流 - 栅极触发电流 (Igt)（最大）： | 65mA |
| 电流 - 导通状态 (It (RMS))（最大）： | 15A |
| 电流 - 非重复电涌，50、60Hz (Itsm)： | 190A，210A |
| 电流 - 维持(Ih)： | 100mA |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | PWS-E1 |
| 包装： | 散装 |
VHF 15
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
10
I R , I D
V T , V F
V R = V RRM ; V D = V DRM
I T , I F = 45 A; T VJ = 25 ° C
T VJ = T VJM
T VJ = 25 ° C
￡
￡
￡
5
0.3
2.8
mA
mA
V
V G
V
1: I GT , T VJ = 125 ° C
2: I GT , T VJ = 25 ° C
3: I GT , T VJ = -40 ° C
V T0
r T
V GT
I GT
For power-loss calculations only (T VJ = 125 ° C)
V D = 6 V; T VJ = 25 ° C
T VJ = -40 ° C
V D = 6 V; T VJ = 25 ° C
T VJ = -40 ° C
T VJ = 125 ° C
￡
￡
￡
￡
￡
1.0
40
1.0
1.2
65
80
50
V
m W
V
V
mA
mA
mA
1
1
2
3
4
5
6
V GD
I GD
I L
I H
T VJ = T VJM ; V D = 2/3 V DRM
T VJ = T VJM ; V D = 2/3 V DRM
I G = 0.3 A; t G = 30 m s; T VJ = 25 ° C
di G /dt = 0.3 A/ m s; T VJ = -40 ° C
T VJ = 125 ° C
T VJ = 25 ° C; V D = 6 V; R GK = ￥
￡
￡
￡
￡
￡
￡
0.2
5
150
200
100
100
V
mA
mA
mA
mA
mA
4: P GAV = 0.5 W
5: P GM = 1 W
I GD , T VJ = 125 ° C 6: P GM = 10 W
0.1
1 10 100 1000 mA
I G
Fig. 1 Gate trigger range
t gd
t q
Q r
R thJC
T VJ = 25 ° C; V D = 1/2 V DRM
I G = 0.3 A; di G /dt = 0.3 A/ m s
T VJ = 125 ° C, I T = 15 A, t P = 300 m s, V R = 100 V
di/dt = -10 A/ m s, dv/dt = 20 V/ m s, V D = 2/3 V DRM
per thyristor (diode); DC current
￡
typ.
2
150
75
2.4
m s
m s
m C
K/W
1000
μ s
t gd
100
typ.
Limit
T VJ = 25 ° C
per module
0.6
K/W
R thJK
per thyristor (diode); DC current
per module
3.0
0.75
K/W
K/W
d S
d A
a
Creepage distance on surface
Creepage distance in air
Max. allowable acceleration
12.6
6.3
50
mm
mm
m/s 2
10
1
10
100
mA 1000
I G
Fig. 2 Gate controlled delay time t gd
? 2000 IXYS All rights reserved
2-3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SS-5GL1170-3 | SWITCH 5A HINGE SPST-NO SOLDER |
| GS100102 | SENSOR GEARTOOTH SPEED SS M12 |
| V-10G2-1B4-K | SWITCH LEVER SPDT 10A SCREW |
| D2FD-01L1-1T | SWITCH LEVER STR SPDT 0.1A 125V |
| V-10G4-1B4-K | SWITCH LEVER SPDT 10A SCREW |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| VHF15-12io5 | 功能描述:SCR模块 15 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| VHF15-14io5 | 功能描述:SCR模块 15 Amps 1400V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| VHF15-16io5 | 功能描述:SCR模块 S. PHASE RECTIFIER BRIDGE FW DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| VHF-1600 | 制造商:MINI 制造商全称:Mini-Circuits 功能描述:High Pass Filters 850 to 7000 MHz |
| VHF-1760 | 制造商:MINI 制造商全称:Mini-Circuits 功能描述:High Pass Filters 850 to 7000 MHz |
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