- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18828 > VHFD16-08IO1 (IXYS)RECT BRIDGE 1PH 800V V1-A-PAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | VHFD16-08IO1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | RECT BRIDGE 1PH 800V V1-A-PAK |
| 标准包装： | 10 |
| 结构： | 桥路，单相 |
| SCR 数目，二极管： | 2 个 SCR，4 个二极管 |
| 电压 - 断路： | 800V |
| 电流 - 栅极触发电流 (Igt)（最大）： | 65mA |
| 电流 - 导通状态 (It (AV))（最大）： | 16A |
| 电流 - 非重复电涌，50、60Hz (Itsm)： | 150A，170A |
| 电流 - 维持(Ih)： | 100mA |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | V1A-PAK |
| 包装： | 散装 |
VHFD 16
Half Controlled
Single Phase Rectifier Bridge
Including Freewheeling Diode and Field Diodes
V RRM = 800-1600 V
I dAVM = 21 A
V RSM
V DSM
V RRM
V DRM
Type
1 2
3
5
V
V
900
1300
800
1200
VHFD 16-08io1
VHFD 16-12io1
1700
1600
VHFD 16-16io1
6
8
10
Bridge and Freewheeling Diode
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
Features
I dAV
I dAVM
I FRMS , I TRMS
I FSM , I TSM
I 2 t
T H = 85 ° C, module
module
per leg
T VJ = 45 ° C;
V R = 0 V
T VJ = T VJM
V R = 0 V
T VJ = 45 ° C
V R = 0 V
T VJ = T VJM
V R = 0 V
t = 10 ms (50 Hz), sine
t = 8.3 ms (60 Hz), sine
t = 10 ms (50 Hz), sine
t = 8.3 ms (60 Hz), sine
t = 10 ms (50 Hz), sine
t = 8.3 ms (60 Hz), sine
t = 10 ms (50 Hz), sine
t = 8.3 ms (60 Hz), sine
16
21
15
150
170
130
140
110
120
85
80
A
A
A
A
A
A
A
A 2 s
A 2 s
A 2 s
A 2 s
Package with DCB ceramic base plate
Isolation voltage 3600 V~
Planar passivated chips
Blocking voltage up to 1600 V
Low forward voltage drop
Leads suitable for PC board soldering
UL registered E 72873
Applications
Supply for DC power equipment
DC motor control
Advantages
(di/dt) cr
(dv/dt) cr
V RGM
T VJ = 125 ° C repetitive, I T = 50 A
f = 50 Hz, t P = 200 μ s
V D = 2/3 V DRM
I G = 0.3 A, non repetitive, I T = 0.5 I dAV
di G /dt = 0.3 A/ μ s
T VJ = T VJM ; V DR = 2/3 V DRM
R GK = ∞ ; method 1 (linear voltage rise)
150
500
1000
10
A/ μ s
A/ μ s
V/ μ s
V
Easy to mount with two screws
Space and weight savings
Improved temperature and power
cycling
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
P GM
T VJ = T VJM
I T = 0.5 I dAVM
t p = 30 μ s
t p = 500 μ s
t p = 10 ms
≤
≤
≤
10
5
1
W
W
W
P GAVM
T VJ
T VJM
T stg
0.5
-40...+125
125
-40...+125
W
° C
° C
° C
V ISOL
50/60 Hz, RMS
I ISOL ≤ 1 mA
t = 1 min
t=1s
3000
3600
V~
V~
d S
d A
a
Creep distance on surface
Strike distance in air
Max. allowable acceleration
12.7
9.4
50
mm
mm
m/s 2
M d
Mounting torque
(M5)
2-2.5
Nm
(10-32 UNF)
Weight
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2010 IXYS All rights reserved
18-22
35
lb.in.
g
20100705a
1-3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MK13-1B90C-500W | SENSOR REED SPST-NC SCREW MOUNT |
| MK05-1B90C-500W | SENSOR REED SPDT-NC SCREW MOUNT |
| D2FD-2L0-1T | SWITCH PIN PLUNG SPDT 2A 125V |
| MK26-1A85E-500W | SENSOR REED SPST-NO SCREW MOUNT |
| MK26-1A85D-500W | SENSOR REED SPST-NO SCREW MOUNT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| VHFD16-12io1 | 功能描述:SCR模块 16 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| VHFD16-14io1 | 功能描述:SCR模块 16 Amps 1400V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| VHFD16-16io1 | 功能描述:SCR模块 16 Amps 1600V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| VHFD29 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Half Controlled Single Phase Rectifier Bridge |
| VHFD29-08io1 | 功能描述:SCR模块 29 Amps 800V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。