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参数资料
| 型号： | VHFD16-16IO1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | RECT BRIDGE 1PH 1600V V1A-PAK |
| 标准包装： | 10 |
| 结构： | 桥路，单相 |
| SCR 数目，二极管： | 2 个 SCR，4 个二极管 |
| 电压 - 断路： | 1600V |
| 电流 - 栅极触发电流 (Igt)（最大）： | 65mA |
| 电流 - 导通状态 (It (AV))（最大）： | 16A |
| 电流 - 非重复电涌，50、60Hz (Itsm)： | 150A，170A |
| 电流 - 维持(Ih)： | 100mA |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | V1A-PAK |
| 包装： | 散装 |
VHFD 16
A s
70
A
60
typ.
120
A
100
50Hz, 80% V RRM
10 3
2
V R = 0 V
I t
I F 50
T VJ =125°C
max.
I FSM
80
T VJ = 45°C
2
40 T VJ = 25°C
30
60
10 2
T VJ = 45°C
20
10
0
40
20
0
T VJ = 125°C
10 1
T VJ = 125°C
0
1
2
3
V
4
0.001
0.01
0.1
s
1
1
2
3
4 5 6 7 8 ms 9 10
90
W
80
70
P tot
60
V F
Fig. 3 Forward current vs. voltage
drop per diode
t
Fig. 4 Surge overload current
R thHA :
0.5 K/W
1.0 K/W
1.5 K/W
25
A
I d(AV)M
20
t
Fig. 5 I 2 t versus time per diode
50
40
2.0
3.0
4.0
6.0
K/W
K/W
K/W
K/W
15
10
30
20
10
0
5
0
0
5
10
15
20
A
0 0
25
20
40
60
80
°C
100 120 140
0
20
40
60
80 100 120 °C
I d(AV)M
T amb
T H
Fig. 6 Power dissipation vs. direct output current and ambient temperature
Fig. 7 Max. forward current vs.
heatsink temperature
3.5
K/W
3.0
Z thJH
2.5
2.0
1.5
Constants for Z thJH calculation:
i
R thi (K/W)
t i (s)
1.0
0.5
1
2
3
4
0.01
0.4
1.69
0.9
0.008
0.05
0.06
0.25
0.0
0.001
0.01
0.1
1
s
10
Fig. 8 Transient thermal impedance junction to heatsink
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2010 IXYS All rights reserved
t
20100705a
3-3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VHFD29-16IO1 | RECT BRIDGE 1PH 1600V V1A-PAK |
| VHFD37-16IO1 | RECT BRIDGE 1PH 1600V V1A-PAK |
| VI-PU11-EUU | AC/DC CONV DUAL OUT 12V/12V 400W |
| VPP26K3HDNTX | PATCHBAY 26JACK HD NON-TERMINATE |
| VTO39-12HO7 | RECT BRIDGE 3PH 1200V ECO-PAC1 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| VHFD29 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Half Controlled Single Phase Rectifier Bridge |
| VHFD29-08io1 | 功能描述:SCR模块 29 Amps 800V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| VHFD29-12io1 | 功能描述:SCR模块 29 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| VHFD29-14io1 | 功能描述:SCR模块 29 Amps 1400V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| VHFD29-16io1 | 功能描述:SCR模块 29 Amps 1600V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
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