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参数资料
型号： VI30100SG-E3/4W
厂商： Vishay General Semiconductor
文件页数： 1/3页
文件大小： 156K
描述： DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-262AA
产品目录绘图： Circuit
TO-262AA Pin Out
标准包装： 1,000
系列： TMBS®
二极管类型： 肖特基
电压 - (Vr)（最大）： 100V
电流 - 平均整流 (Io)： 30A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： 1V @ 30A
速度： 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
电流 - 在 Vr 时反向漏电： 350µA @ 100V
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商设备封装： TO-262AA
包装： 管件
产品目录页面： 1659 (CN2011-ZH PDF)
其它名称： VI30100SG-E3/4W-ND
VI30100SG-E3/4WGI
New Product
‘II'VISHAYQ V301 oose, VF3o1oosG, VB3o1oosG & V1301 oose7 Vishay General SemiconductorHigh-Voltage Trench Mos Barrier schottky RectitierUltra Low VF = 0.437 V at IF = 5 A
? FEATURES ?TMBS
To_22oAB |T°_22oAB - Trench MOS Schottky technology
- Low forward voltage drop, low powerlosses
- High efficiency operation R°Hs
- Low thermal resistance C°MPL"‘"T
- Meets MsL level 1, per J-STD-020, LF maximum
peak or 245 cc (tor To-263AB package)
vaomose ‘ vramooso - solder bath temperature 275 DC maximum, 10 s,
FIN‘ PM PM PM per JESD 22—B106 (tor To-22oAB, lTO—22oAB,
Pm :}H:§E PIN 3 :H_O and TO—262AA package)
- Compliant to FioHS directive 2002/95/EC and inT°'2e3AB T°'232AA accordance to WEEE 2002/96/EC
TYPIcAL APPLIcATIoNs
For use in high frequency converters, switching power
supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc
converters and reverse battery protection.
vssmooso vlaoioosc MEc"AN'cAL DATA
Nco K PW‘ PM case: To—22oAB, ITO-22oAB, To-263AB andMolding compound meets UL 94 V-0 flammability
A TSINK FW 3 ::l>H%K) TO—262AA
rating
PRIMARY CHARACTERISTICS Base P/N-E3 — ROHS compliant, commercial grade Terminals: Matte tin plated leads, solderable per
J-sTD—oo2 and JESD 22-B102
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test
Polarity: As marked
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum
MAXIMUM RA'rINGs (TA = 25 “C unless otherwise noted)
E?neellllllllllllll nm?anwma?wma wsotoose
sine-wave superimposed on rated load
Non-repetitiveavalancheenergyatrl=25ncyL=9omH e
Peak repetitive reverse current
attp:2us,1kHz,TJ:38°Ci2°CVoltage rate of change (rated VR)
Isolation voltage (ITO-22OAB only)
From terminal to heatsink t : 1 minOperating junction and storage temperature range - 40 to + 150
Document Number: 88996 For technical questions within your region, please contact one of the following: www.vishay.com
Revision: 24-Jun-09 PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Euroge@vishay_eom 1
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PDF描述
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参数描述
VI30100SGHM3/4W 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:30A,100V,TRENCH SKY RECT.
VI30100SG-M3/4W 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:30A,100V,TRENCH SKY RECT.
VI30100SHM3/4W 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:30A,100V,TRENCH SKY RECT.
VI30100S-M3/4W 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:30A,100V,TRENCH SKY RECT.
VI30120C 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A
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