型号: | VII100-12S2 |
英文描述: | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 148A I(C) |
中文描述: | 晶体管| IGBT功率模块|半桥| 1.2KV五(巴西)国际消费电子展| 148A章一(c) |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 230K |
代理商: | VII100-12S2 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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VII100-12S3 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C) |
VII100-12S4 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C) |
V54C3128804VBI6 | 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
V59C1512164QALF37E | 32M X 16 DDR DRAM, BGA92 |
V59C1512164QALJ5H | 32M X 16 DDR DRAM, PBGA92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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VII100-12S3 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C) |
VII100-12S4 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C) |
VII125-12G4 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 125A I(C) |
VII125-12S4 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 125A I(C) |
VII130-06P1 | 功能描述:IGBT 模块 130 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |