参数资料
型号: VII100-12S2
英文描述: TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 148A I(C)
中文描述: 晶体管| IGBT功率模块|半桥| 1.2KV五(巴西)国际消费电子展| 148A章一(c)
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代理商: VII100-12S2
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V54C3128804VBI6 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
V59C1512164QALF37E 32M X 16 DDR DRAM, BGA92
V59C1512164QALJ5H 32M X 16 DDR DRAM, PBGA92
相关代理商/技术参数
参数描述
VII100-12S3 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C)
VII100-12S4 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C)
VII125-12G4 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 125A I(C)
VII125-12S4 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 125A I(C)
VII130-06P1 功能描述:IGBT 模块 130 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: