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参数资料
| 型号： | VII125-12S4 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 125A I(C) |
| 中文描述： | 晶体管| IGBT功率模块|半桥| 1.2KV五（巴西）国际消费电子展| 125A条一（c） |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 224K |
| 代理商： | VII125-12S4 |
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| VII130-06P1 | 功能描述:IGBT 模块 130 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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| VII25-06P1 | 功能描述:MOD IGBT PHASE LEG 600V ECOPAC2 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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