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参数资料
| 型号： | VMZ6.8N |
| 厂商： | Rohm CO.,LTD. |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 中文描述： | 250 的低电流运算，低反向泄露，低噪声稳压二极管 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | VMZ6.8N |
VMZ6.8N
Diodes
1/2
Zener diode
VMZ6.8N
Applications
Constant voltage control.
Features
1) Ultra small mold type. (VMD3)
2) Composite type with two anode common elements.
3) High reliability.
Construction
Silicon epitaxial planar.
External dimensions (Units : mm)
ROHM : VMD3
EIAJ :
JEDEC :
0.8
±0.1
0.5
±0.05
0.13
±0.05
0
0.1
1.2
±0.1
0.32
±0.05
0.22
±0.05
6C
(1)
(2)
(3)
0.4
0.2
±0.1
0.2
±0.1
0.8
±0.1
1.2
±0.1
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Equivalent circuit
Parameter
Symbol
Limits
Unit
Power dissipation
150
mW
Junction temperature
150
C
Storage temperature
C
Tj
Tstg
55~+150
P
Total of 2 elements
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Zener voltage
VZ
6.47
7.14
V
IZ=5mA
Reverse current
IR
0.5
VR=3.5V
Capacitance between terminals
CT
9
f=1MHZ, VR=5V
A
pF
Others
Parameter
IEC61000-4-2
: 150pF
Charge / discharge capacitance
: 330
Discharge resistance
10 repetitions
No malfunction
:
±8kV
Contact
:
±15kV
Suspended
Device configuration
Judgment contents
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