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参数资料
| 型号： | VN10LPSTOB |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET VMOS N-CHAN TO92-3 |
| 标准包装： | 2,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 270mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 60pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 625mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
A Product Line of
Diodes Incorporated
VN10LP
Typical Characteristics
VN10LP
Document Number DS33198 Rev. 3 - 2
4 of 6
www.diodes.com
September 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VN2222LL | MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92 |
| VP1TTB11RR00000 | CONTURA ILL INDICATOR 12V RED |
| VR001 | VIBRATION DATA LOGGER |
| VSLY3850 | IR EMITTER 850NM HIGH SPEED |
| VSLY5850 | IR EMITTER 850NM HIGH SPEED DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| VN10LPSTZ | 功能描述:MOSFET VMOS N Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| VN1102A00 | 制造商:SHIELD 制造商全称:SHIELD s.r.l. 功能描述:For electrovalves, style C-ind, 2p or 3p+G, female, field attachable |
| VN1103A00 | 制造商:SHIELD 制造商全称:SHIELD s.r.l. 功能描述:For electrovalves, style C-ind, 2p or 3p+G, female, field attachable |
| VN1104A20 | 制造商:SHIELD 制造商全称:SHIELD s.r.l. 功能描述:For electrovalves, style C-ind, 2p or 3p+G, female, field attachable |
| VN1104A40 | 制造商:SHIELD 制造商全称:SHIELD s.r.l. 功能描述:For electrovalves, style C-ind, 2p or 3p+G, female, field attachable |
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