参数资料
型号: VN2222LL
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/4页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92
产品变化通告: Product Discontinuation 20/Aug/2008
标准包装: 1,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 150mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 7.5 欧姆 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 60pF @ 25V
功率 - 最大: 400mW
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
供应商设备封装: TO-92-3
包装: 带盒(TB)
其它名称: VN2222LLOS
VN2222LLG
2
1
1.8
1.6
1.4
1.2
T A = 25 ° C
V GS = 10 V
9V
8V
0.8
0.6
V DS = 10 V
- 55 ° C
125 ° C
25 ° C
1
0.8
0.6
0.4
0.2
7V
6V
5V
4V
3V
0.4
0.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2.4
2.2
V DS , DRAIN- SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. Ohmic Region
1.2
1.15
V GS , GATE - SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
V GS = 10 V
I D = 200 mA
1.1
1.05
1
0.95
0.9
0.85
0.8
0.75
V DS = V GS
I D = 1 mA
0.4
-60
-20
+20
+60
+100
+140
0.7
-60
-20
0
+20 +60
+100
+140
T, TEMPERATURE ( ° C)
Figure 3. Temperature versus Static
Drain ? Source On ? Resistance
http://onsemi.com
3
T, TEMPERATURE ( ° C)
Figure 4. Temperature versus Gate
Threshold Voltage
相关PDF资料
PDF描述
VP1TTB11RR00000 CONTURA ILL INDICATOR 12V RED
VR001 VIBRATION DATA LOGGER
VSLY3850 IR EMITTER 850NM HIGH SPEED
VSLY5850 IR EMITTER 850NM HIGH SPEED DIP
VSMY2850G IR EMITTER 850NM HIGH SPEED SMD
相关代理商/技术参数
参数描述
VN2222LL/D 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Small Signal MOSFET 150 mAmps, 60 Volts
VN2222LLG 功能描述:MOSFET 60V 150mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
VN2222LL-G 功能描述:MOSFET 60V 7.5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
VN2222LL-G P002 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
VN2222LL-G P003 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-CH Enhancmnt Mode MOSFET