参数资料
型号: VSKH56/10
厂商: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分类: 晶闸管
英文描述: 94.2 A, 1000 V, SCR, TO-240AA
封装: ROHS COMPLIANT, TO-240AA COMPATIBLE, ADD-A-PAK-5
文件页数: 9/10页
文件大小: 708K
代理商: VSKH56/10
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Document Number: 94630
8
Revision: 05-Aug-09
VSK.41.., VSK.56.. Series
Vishay High Power Products
ADD-A-PAK Generation VII Power Modules
Thyristor/Diode and Thyristor/Thyristor, 45 A/60 A
Fig. 19 - On-State Voltage Drop Characteristics
Fig. 20 - On-State Voltage Drop Characteristics
Fig. 21 - Thermal Impedance ZthJC Characteristics
Fig. 22 - Gate Characteristics
Instantaneous on-state voltage (V)
Instantaneous
on-state
current
(A)
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
1
10
100
1000
Tj = 25°C
Tj = 125°C
VSK. 41 Series
Per leg
Instantaneous on-state voltage (V)
Instantaneous
on-state
current
(A)
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
1
10
100
1000
Tj = 25°C
Tj = 125°C
VSK. 56 Series
Per leg
Square wave pulse duration (s)
Transient
thermal
impedance
Z
thJC
(°C/W)
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
Steady state value
RthJC = 0.44 °C/W
RthJC = 0.35 °C/W
(DC operation)
Per leg
VSK.41 Series
VSK.56 Series
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
(b)
(a)
Rect angular ga te p ulse
(4) (3)
(2) (1)
(1) PGM = 100 W, tp = 500 s
(2) PGM = 50 W, tp = 1 ms
(3) PGM = 20 W, tp = 25 ms
(4) PGM = 10 W, tp = 5 ms
TJ
=
-4
0
°C
TJ
=
2
5
°
C
TJ
=
1
2
5
°C
a)Recommend ed load line for
b)Recommended loa d line for
VGD
IGD
Frequenc y Limited by PG(AV)
rated di/ dt: 20 V, 30 ohms
tr = 0.5 s, t p >= 6 s
<= 30% ra ted di/ dt: 20 V, 65 ohms
tr = 1 s, tp >= 6 s
IRK.41../ .56.. Series
Instantaneous
gate
voltage
(V)
Instantaneous gate current (A)
VSK.
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PDF描述
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VSKH56/14 94.2 A, 1400 V, SCR, TO-240AA
VSKH56/16 94.2 A, 1600 V, SCR, TO-240AA
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参数描述
VSKH57/04P 功能描述:SCR模块 400 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流(Ih 最大值): 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK
VSKH57/06P 功能描述:SCR模块 600 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流(Ih 最大值): 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK
VSKH57/08P 功能描述:SCR模块 800 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流(Ih 最大值): 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK
VSKH57/10P 功能描述:SCR模块 1000 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流(Ih 最大值): 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK
VSKH57/12P 功能描述:SCR模块 1200 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流(Ih 最大值): 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK