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参数资料
| 型号： | VSKH56/14P |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 90.42 A, 1400 V, SCR, TO-240AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, ADD-A-PAK-5 |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 297K |
| 代理商： | VSKH56/14P |
www.vishay.com
For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com
Document Number: 94419
8
Revision: 23-Apr-08
VSK.41, .56..PbF Series
Vishay High Power Products
Thyristor/Diode and Thyristor/Thyristor
(ADD-A-PAKTM Generation 5 Power Modules),
45/60 A
Fig. 19 - On-State Voltage Drop Characteristics
Fig. 20 - On-State Voltage Drop Characteristics
Fig. 21 - Recovery Charge Characteristics
Fig. 22 - Recovery Current Characteristics
Fig. 23 - Thermal Impedance ZthJC Characteristics
1
10
100
1000
012
3
4
5
67
T = 25°C
J
In
st
a
n
ta
n
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C
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A
)
Instantaneous On-state Voltage (V)
T = 125°C
J
VSK.41.. Series
Per Junction
1
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100
1000
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
T = 25°C
J
In
st
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ous
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C
u
rr
e
n
t
(A
)
Instantaneous On-state Voltage (V)
T = 125°C
J
VSK.56.. Series
Per Junction
100
150
200
250
300
350
400
450
500
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
100 A
50 A
Rate Of Fall Of On-state Current - di/ dt (A/ s)
M
a
x
im
u
m
R
e
v
e
rs
e
R
e
c
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C
h
a
rg
e
-
Q
rr
(
C
)
I
= 200 A
TM
20 A
10 A
VSK.41.. Series
VSK.56.. Series
T = 125 °C
J
30
40
50
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70
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90
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10
20
30
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60
70
80
90 100
Ma
x
imu
m
R
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v
e
rs
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R
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C
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n
t
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rr
(
A
)
Rate Of Fall Of Forward Current - di/ dt (A/ s)
100 A
50 A
I
= 200 A
TM
20 A
10 A
VSK.41.. Series
VSK.56.. Series
T = 125 °C
J
0.01
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
10
Square Wave Pulse Duration (s)
th
J
C
Tr
a
n
si
e
n
tTh
e
rm
a
lI
m
p
e
d
a
n
c
e
Z
(
K
/W
)
Per Junct ion
Steady State Value:
R
= 0.46 K/ W
R
= 0.40 K/ W
(DC Operation)
VSK.41.. Series
VSK.56.. Series
thJC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VSKH56/16P | 90.42 A, 1600 V, SCR, TO-240AA |
| VSKL41/04P | 70.65 A, 400 V, SCR, TO-240AA |
| VSKL41/06P | 70.65 A, 600 V, SCR, TO-240AA |
| VSKL41/08P | 70.65 A, 800 V, SCR, TO-240AA |
| VSKL41/10P | 70.65 A, 1000 V, SCR, TO-240AA |
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| VSKH57/06P | 功能描述:SCR模块 600 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| VSKH57/08P | 功能描述:SCR模块 800 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| VSKH57/10P | 功能描述:SCR模块 1000 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| VSKH57/12P | 功能描述:SCR模块 1200 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
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