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参数资料
| 型号： | VSKT230-08PBF |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 510 A, 800 V, SCR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, MAGN-A-PAK-7 |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 318K |
| 代理商： | VSKT230-08PBF |
www.vishay.com
For technical questions, contact: indmodules@vishay.com
Document Number: 93053
2
Revision: 15-Sep-09
VSK.230..PbF Series
Vishay High Power Products
SCR/SCR and SCR/Diode
(MAGN-A-PAKTM Power Modules), 230 A
ON-STATE CONDUCTION
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
VALUES
UNITS
Maximum average on-state current
at case temperature
IT(AV)
180° conduction, half sine wave
230
A
85
°C
Maximum RMS on-state current
IT(RMS)
As AC switch
510
A
Maximum peak, one-cycle on-state
non-repetitive, surge current
ITSM
t = 10 ms
No voltage
reapplied
Sinusoidal
half wave,
initial TJ =
TJ maximum
7500
t = 8.3 ms
7850
t = 10 ms
100 % VRRM
reapplied
6300
t = 8.3 ms
6600
Maximum I2t for fusing
I2t
t = 10 ms
No voltage
reapplied
280
kA2s
t = 8.3 ms
256
t = 10 ms
100 % VRRM
reapplied
198
t = 8.3 ms
181
Maximum I2
√t for fusing
I2
√t
t = 0.1 ms to 10 ms, no voltage reapplied
2800
kA2
√s
Low level value or threshold voltage
VT(TO)1
(16.7 % x
π x I
T(AV) < I < π x IT(AV)),
TJ = TJ maximum
1.03
V
High level value of threshold voltage
VT(TO)2
(I >
π x I
T(AV) < I < π x IT(AV)), TJ = TJ maximum
1.07
Low level value on-state slope resistance
rt1
(16.7 % x
π x I
T(AV) < I < π x IT(AV)),
TJ = TJ maximum
0.77
m
Ω
High level value on-state slope resistance
rt2
(I >
π x I
T(AV) < I < π x IT(AV)), TJ = TJ maximum
0.73
Maximum on-state voltage drop
VTM
ITM = π x IT(AV), TJ = TJ maximum, 180° conduction,
average power = VT(TO) x IT(AV) + rf x (IT(RMS))2
1.59
V
Maximum holding current
IH
Anode supply = 12 V, initial IT = 30 A, TJ = 25 °C
500
mA
Maximum latching current
IL
Anode supply = 12 V, resistive load = 1
Ω,
gate pulse: 10 V, 100 s, TJ = 25 °C
1000
SWITCHING
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
VALUES
UNITS
Typical delay time
td
TJ = 25 °C, gate current = 1 A dIg/dt = 1 A/s
Vd = 0.67 % VDRM
1.0
s
Typical rise time
tr
2.0
Typical turn-off time
tq
ITM = 300 A; dI/dt = 15 A/s; TJ = TJ maximum;
VR = 50 V; dV/dt = 20 V/s; gate 0 V, 100 Ω
50 to 150
BLOCKING
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
VALUES
UNITS
Maximum peak reverse and
off-state leakage current
IRRM,
IDRM
TJ = TJ maximum
50
mA
RMS insulation voltage
VINS
50 Hz, circuit to base, all terminals shorted, 25 °C, 1 s
3000
V
Critical rate of rise of off-state voltage
dV/dt
TJ = TJ maximum, exponential to 67 % rated VDRM
1000
V/s
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| VSKT230-08 | 510 A, 800 V, SCR |
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| VSKT230-12 | 510 A, 1200 V, SCR |
| VSKT230-16PBF | 510 A, 1600 V, SCR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| VSKT230-12PBF | 功能描述:SCR模块 230 Amp 1200 Volt 7850 Amp IT(RMS) RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| VSKT230-14 | 功能描述:SCR模块 230 Amp 1400 Volt 7850 Amp IT(RMS) RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| VSKT230-14PBF | 功能描述:SCR模块 230 Amp 1400 Volt 7850 Amp IT(RMS) RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
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