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参数资料
| 型号： | VSKT230-12PBF |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 510 A, 1200 V, SCR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, MAGN-A-PAK-7 |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 318K |
| 代理商： | VSKT230-12PBF |
Document Number: 93053
For technical questions, contact: indmodules@vishay.com
www.vishay.com
Revision: 15-Sep-09
3
VSK.230..PbF Series
SCR/SCR and SCR/Diode
(MAGN-A-PAKTM Power Modules), 230 A
Vishay High Power Products
Note
Table shows the increment of thermal resistance RthJC when devices operate at different conduction angles than DC
TRIGGERING
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
VALUES
UNITS
Maximum peak gate power
PGM
tp ≤ 5 ms, TJ = TJ maximum
10.0
W
Maximum average gate power
PG(AV)
f = 50 Hz, TJ = TJ maximum
2.0
Maximum peak gate current
+ IGM
tp ≤ 5 ms, TJ = TJ maximum
3.0
A
Maximum peak negative gate voltage
- VGT
tp ≤ 5 ms, TJ = TJ maximum
5.0
V
Maximum required DC gate voltage to trigger
VGT
TJ = - 40 °C
Anode supply = 12 V,
resistive load; Ra = 1
Ω
4.0
TJ = 25 °C
3.0
TJ = TJ maximum
2.0
Maximum required DC gate current to trigger
IGT
TJ = - 40 °C
Anode supply = 12 V,
resistive load; Ra = 1
Ω
350
mA
TJ = 25 °C
200
TJ = TJ maximum
100
Maximum gate voltage that will not trigger
VGD
TJ = TJ maximum, rated VDRM applied
0.25
V
Maximum gate current that willnot trigger
IGD
TJ = TJ maximum, rated VDRM applied
10.0
mA
Maximum rate of rise of turned-on current
dI/dt
TJ = TJ maximum, ITM = 400 A,
rated VDRM applied
500
A/s
THERMAL AND MECHANICAL SPECIFICATIONS
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
VALUES
UNITS
Junction operating temperature range
TJ
- 40 to 130
°C
Storage temperature range
TStg
- 40 to 150
Maximum thermal resistance,
junction to case per junction
RthJC
DC operation
0.125
K/W
Typical thermal resistance,
case to heatsink per module
RthCS
Mounting surface flat, smooth and greased
0.02
Mounting torque ± 10 %
MAP to heatsink
A mounting compound is recommended
and the torque should be rechecked after a
period of about 3 h to allow for the spread of
the compound.
4 to 6
Nm
busbar to MAP
Approximate weight
500
g
17.8
oz.
Case style
MAGN-A-PAK
ΔR CONDUCTION PER JUNCTION
DEVICES
SINUSOIDAL CONDUCTION AT TJ MAXIMUM
RECTANGULAR CONDUCTION AT TJ MAXIMUM
UNITS
180°
120°
90°
60°
30°
180°
120°
90°
60°
30°
VSK.230-
0.009
0.010
0.020
0.032
0.007
0.011
0.015
0.020
0.033
K/W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VSKT230-12 | 510 A, 1200 V, SCR |
| VSKT230-16PBF | 510 A, 1600 V, SCR |
| VSKT230-18PBF | 510 A, 1800 V, SCR |
| VSKT230-18 | 510 A, 1800 V, SCR |
| VSKT230-20PBF | 510 A, 2000 V, SCR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| VSKT230-14 | 功能描述:SCR模块 230 Amp 1400 Volt 7850 Amp IT(RMS) RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| VSKT230-14PBF | 功能描述:SCR模块 230 Amp 1400 Volt 7850 Amp IT(RMS) RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| VSKT230-16 | 功能描述:SCR模块 1600 Volt 230 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| VSKT230-16PBF | 功能描述:SCR模块 230 Amp 1600 Volt 7850 Amp IT(RMS) RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| VSKT230-18 | 功能描述:SCR模块 1800 Volt 230 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
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