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参数资料
| 型号： | VSKV250-18PBF |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 555 A, 1800 V, SCR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, MAGN-A-PAK-7 |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 307K |
| 代理商： | VSKV250-18PBF |
www.vishay.com
For technical questions, contact: indmodules@vishay.com
Document Number: 94417
8
Revision: 08-Oct-09
VSK.170PbF, VSK.250PbF Series
Vishay High Power Products
SCR/SCR and SCR/Diode
(MAGN-A-PAK Power Modules), 170 A/250 A
Fig. 18 - On-State Power Loss Characteristics
Fig. 19 - On-State Voltage Drop Characteristics
Fig. 20 - On-State Voltage Drop Characteristics
Fig. 21 - Reverse Recovery Charge Characteristics
Fig. 22 - Reverse Recovery Charge Characteristics
0
20
406080
100
120
Maximum Allowable Ambient Temperature (°C)
R
=
0
.0
1
K
/W
-
D
e
lta
R
0.0
3
K
/ W
0.0
4
K/
W
0.0
5
K/
W
0.0
6
K/ W
0.0
8 K
/ W
0.1
K/ W
0.1
2
K/ W
0.16
K/W
0.20
K/ W
0.25 K/
W
th
SA
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
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2000
0
100
200
300
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500
600
700
M
a
xi
mu
m
T
o
ta
lP
o
w
e
rL
o
s
s(W)
Total Output Current (A)
120°
(Rect)
3 x VSK.250.. Series
Three Phase Bridge
Connected
T
J = 130°C
0.51
1.522.5
3
3.5
4
4.5
5
100
1000
10000
In
s
ta
n
ta
n
e
o
u
s
For
w
ar
d
C
u
rr
ent
(
V
)
Instantaneous Forward Voltage (V)
Tj = 25°C
Tj = 130°C
VSK.170 Series
Per Junction
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6
100
1000
10000
In
st
ant
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u
s
For
w
ar
d
C
u
rre
n
t(
V
)
Instantaneous Forward Voltage (V)
Tj = 25°C
Tj = 130°C
VSK.250 Series
Per Junction
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
0
102030405060 708090 100
Rate Of Fall Of On-state Current - di/dt (A/s)
T
y
pi
c
a
lRe
ve
rs
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Re
co
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C
h
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-
Qrr
(
C
)
I
TM = 800 A
500 A
300 A
200 A
100 A
VSK.170.. Series
T
J = 130 °C
Per Junction
50 A
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
0
102030 4050 60 70 8090 100
Ty
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C
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Rate Of Fall Of On-state Current - di/dt (A/s)
500 A
300 A
200 A
100 A
T
= 130 °C
Per Junction
J
I
TM = 800 A
50 A
VSK.250.. Series
T
J = 130 °C
Per Junction
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| VSKV41/12P | 功能描述:SCR模块 1200 Volt 45 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| VSKV56/04P | 功能描述:SCR模块 400 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| VSKV56/06P | 功能描述:SCR模块 600 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| VSKV56/12P | 功能描述:SCR模块 1200 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
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