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参数资料
| 型号： | VVZF70-16IO7 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | RECT BRIDGE 3PH 1600V FO-T-A |
| 标准包装： | 10 |
| 结构： | 电桥，3 相 - SCR/二极管 |
| SCR 数目，二极管： | 3 SCRs，3 个二极管 |
| 电压 - 断路： | 1600V |
| 电流 - 栅极触发电流 (Igt)（最大）： | 100mA |
| 电流 - 导通状态 (It (AV))（最大）： | 70A |
| 电流 - 非重复电涌，50、60Hz (Itsm)： | 550A，600A |
| 电流 - 维持(Ih)： | 200mA |
| 安装类型： | PCB |
| 封装/外壳： | FO-T-A |
| 包装： | 散装 |
VVZF 70-16io7
Symbol
Conditions
Characteristic Values
I D ; I R
V T
V R = V RRM ; V D = V DRM
I T = 80 A
T VJ = T VJM
T VJ = 25°C
<
<
5
1.64
mA
V
V T0
r t
For power-loss calculations only
0.85
11
V
m W
V D = 6 V; R GK = h
V GT
I GT
V GD
I GD
I L
I H
t gd
t q
R thJC
R thJH
d S
d A
a
V D = 6 V
V D = 6 V
V D = 2 / 3 V DRM
t p = 10 μs
I G = 0.45 A; di G /dt = 0.45 A/μs
V D = ?V DRM
I G = 0.45 A; di G /dt = 0.45 A/μs
I T = 20 A; t p = 200 μs
V R = 100 V; di/dt = -10 A/μs
dv/dt = -15 V/μs; V D = 2 / 3 V DRM
per thyristor / diode; DC
per module
per thyristor / diode; DC
per module
Creeping distance on surface
Creepage distance in air
Max. allowable acceleration
T VJ = 25°C
T VJ = -40°C
T VJ = 25°C
T VJ = -40°C
T VJ = T VJM
T VJ = 25°C
T VJ = 25°C
T VJ = 25°C
T VJ = 25°C
<
<
<
<
<
<
<
<
<
<
1.5
1.6
100
200
0.2
5
450
200
2
250
0.9
0.15
1.1
0.157
16.1
7.5
50
V
V
mA
mA
V
mA
mA
mA
μs
μs
K/W
K/W
K/W
K/W
mm
mm
m/s 2
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394“)
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? IXYS All rights reserved
20100708b
2-2
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