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参数资料
| 型号： | VWO140-16IO1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MODULE AC CTLR 3PH 1600V V2-PACK |
| 其它有关文件： | SCR Module Selection Guide |
| 标准包装： | 6 |
| 结构： | 3 相控制器 - 全部为 SCR |
| SCR 数目，二极管： | 6 SCRs |
| 电压 - 断路： | 1600V |
| 电流 - 栅极触发电流 (Igt)（最大）： | 100mA |
| 电流 - 导通状态 (It (AV))（最大）： | 46A |
| 电流 - 导通状态 (It (RMS))（最大）： | 101A |
| 电流 - 非重复电涌，50、60Hz (Itsm)： | 1150A，1240A |
| 电流 - 维持(Ih)： | 200mA |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | 模块 |
| 包装： | 盒 |
VWO 140
Symbol
Conditions
Characteristic Values
I D , I R
T VJ = 125°C; V R = V RRM ; V D = V DRM
<
5
mA
V T
I T
= 140 A; T VJ = 25°C
<
1.5
V
V T0
r T
For power-loss calculations only
0.85
5.2
V
m Ω
V GT
I GT
V D = 6 V;
V D = 6 V;
T VJ
T VJ
T VJ
T VJ
=
=
=
=
25°C
-40°C
25°C
-40°C
<
<
<
<
1.5
1.6
100
200
V
V
mA
mA
V GD
I GD
T VJ =125°C;
V D = 2 / 3 V DRM
<
<
0.2
5
V
mA
I L
T VJ = 25°C; t P = 10 μs
<
450
mA
I G = 0.45 A; di G /dt = 0.45 A/μs
I H
t gd
T VJ = 25°C; V D = 6 V; R GK = ∞
T VJ = 25°C; V D = ? V DRM
<
<
200
2
mA
μs
I G = 0.45 A; di G /dt = 0.45 A/μs
t q
T VJ =125°C; I T = 20 A, t P = 200 μs; di/dt = -10 A/μs typ.
150
μs
V R = 100 V; dv/dt = 15 V/μs; V D = 2 / 3 V DRM
R thJC
R thJK
per
per
per
per
thyristor; sine 180°el
module
thyristor; sine 180°el
module
0.6
0.1
0.7
0.117
K/W
K/W
K/W
K/W
d S
d A
a
Creeping distance on surface
Creepage distance in air
Max. allowable acceleration
12.7
9.4
50
mm
mm
m/s 2
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
Detail Y
M 2:1
Detail Z
M 5:1
? 2.5
Y
? 6.1
? 2.1
Z
?1.5 (DIN 46 431)
0.5±0.2
G
25.0 ±0.3
65
93
78.5 ±0.3
38
40.4
4x45°
0.5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
18.0 ±0.3
3.5 ±0.3
40 ±0.15
80 ±0.3
R1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Aufdruck der
Typenbezeichnung
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2008 IXYS All rights reserved
(Klebeetikett)
20080828a
2-2
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