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参数资料
| 型号： | W19B160BBBAH |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 10 ns, PBGA48 |
| 封装： | 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48 |
| 文件页数： | 37/48页 |
| 文件大小： | 534K |
| 代理商： | W19B160BBBAH |
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W19B160BT/B DATA SHEET
- 42 -
10.9 Temporary Sector Unprotect Timing Diagram
TRSP
TVIDR
Program or Erase Command Sequence
#RESET
#CE
#WE
RY/#BY
0 or 3V
12V
10.10 Sector Protect and Unprotect Timing Diagram
DATA
Valid*
A1,A0
SA,A6,
#RESET
Sector Protect:150μs,
Sector Unprotect:15ms
1μs
Sector Protect or Unprotect
VID
VIH
60h
Valid*
40h
Verify
Status
#CE
#WE
#OE
Note: For sector protect, A6=0, A1=1, A0=0.
For sector unprotect, A6=1, A1=1, A0=0.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| WED3DG6435V10D1I-MG | 32M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA144 |
| W7MG21M32SVB90BNC | 2M X 32 FLASH 3.3V PROM MODULE, 90 ns, SMA80 |
| W3EG7264S262AD4 | DDR DRAM MODULE, DMA200 |
| W3H64M72E-400ES | 64M X 72 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA208 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W19B160BBBH7H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
| W19B160BBBM7H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
| W19B160BT | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
| W19B160BT7H7H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
| W19B160BT7M7H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
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