型号: | W19B320ATBAH |
厂商: | WINBOND ELECTRONICS CORP |
元件分类: | PROM |
英文描述: | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48 |
封装: | 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48 |
文件页数: | 1/53页 |
文件大小: | 479K |
代理商: | W19B320ATBAH |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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W25X20-VSNI-G | 2M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO8 |
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WE128K32-150HSI | 512K X 8 EEPROM 5V MODULE, 150 ns, CHIP66 |
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WS512K32-85CJM | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 85 ns, CQCC68 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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W19B320ATT7H | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 48TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA(8x13) 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 |
W19B320B | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory |
W19B320BB | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory |
W19B320BB-H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations |
W19B320BB-M | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations |