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参数资料
| 型号： | W19B320ATBAM |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48 |
| 封装： | 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48 |
| 文件页数： | 43/53页 |
| 文件大小： | 479K |
| 代理商： | W19B320ATBAM |
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W19B320AT/B
- 48 -
9.14 Alternate #CE Controlled Write (Erase/Program) Operation Timing
.
D OUT
#DQ7
#RESET
DATA
Address
555 for program
2AA for erase
PA for program
SA for sector erase
555 for chip erase
#Data Polling
PA
TWC
TAS
TAH
TWH
t GHEL
TCP
TWS
TDS
TDH
A0 for program
55 for erase
PD for program
30 for sector erase
10 for chip erase
TBUSY
TRH
#WE
#OE
#CE
RY/#BY
TCPH
TPW, T ACCP, or TSE
Notes:
1. Firgure indicates last two bus cycles of a program or erase operation.
2. PA= program address, SA= sector address, PD= program data.
3. #DQ7 is the complement of the data written to the device. Dout is the data written to the device.
4. Waveforms are for the word mode.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W19B320ATT8M | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| W19B320ATB9L | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48 |
| W19B320BBBH | FLASH 3V PROM, PDSO48 |
| W19B320STT9F | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| W19L320STT9L | 2M X 16 FLASH 3.3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W19B320ATT7H | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 48TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 |
| W19B320B | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory |
| W19B320BB | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:32Mbit, 2.7~3.6-volt single bank CMOS flash memory |
| W19B320BB-H | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations |
| W19B320BB-M | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations |
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