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参数资料
| 型号： | W19L320STT9B |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 16 FLASH 3.3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封装： | TSOP-48 |
| 文件页数： | 20/52页 |
| 文件大小： | 1869K |
| 代理商： | W19L320STT9B |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页当前第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页
W19B(L)320ST/B
Publication Release Date: March 23, 2004
- 27 -
Revision A2
Device Geometry Definition
DESCRIPTION
ADDRESS
(Write Mode)
DATA
ADDRESS
(Byte Mode)
Device size =2N bytes
27h
0016h
4Eh
Flash device interface description (refer to CFI publication 100)
28h
29h
0002h
0000h
50h
52h
Max. number of bytes in multi-byte write=2N (00h = not
supported)
2Ah
2Bh
0000h
54h
56h
Number Of Erase Block Regions Within Devices
2Ch
0002h
58h
Erase block region 1 information
(refer to the CFI specification or CFI publication 100 )
2Dh
2Eh
2Fh
30h
0007h
0000h
0020h
0000h
5Ah
5Ch
5Eh
60h
Erase Block Region 2 Information
31h
32h
33h
34h
003Eh
0000h
0001h
62h
64h
66h
68h
Erase Block Region 3 Information
35h
36h
37h
38h
0000h
6Ah
6Ch
6Eh
70h
Erase Block Region 4 Information
39h
3Ah
3Bh
3Ch
0000h
72h
74h
76h
78h
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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