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参数资料
| 型号： | W25Q80BLZPIP |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 8M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 封装： | 6 X 5 MM, GREEN , PLASTIC, WSON-8 |
| 文件页数： | 63/75页 |
| 文件大小： | 2267K |
| 代理商： | W25Q80BLZPIP |
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W25Q80BL
- 66 -
10.7 AC Electrical Characteristics (cont’d)
SPEC
DESCRIPTION
SYMBOL
ALT
MIN
TYP
MAX
UNIT
/HOLD Active Hold Time relative to CLK
tCHHH
5
ns
/HOLD Not Active Setup Time relative to CLK
tHHCH
5
ns
/HOLD Not Active Hold Time relative to CLK
tCHHL
5
ns
/HOLD to Output Low-Z
tHHQX(2)
tLZ
7
ns
/HOLD to Output High-Z
tHLQZ(2)
tHZ
12
ns
Write Protect Setup Time Before /CS Low
tWHSL(3)
20
ns
Write Protect Hold Time After /CS High
tSHWL(3)
100
ns
/CS High to Power-down Mode
tDP(2)
3
s
/CS High to Standby Mode without Electronic Signature
Read
tRES1(2)
3
s
/CS High to Standby Mode with Electronic Signature
Read
tRES2(2)
1.8
s
/CS High to next Instruction after Suspend
tSUS(2)
20
s
Write Status Register Time
tW
10
15
ms
Byte Program Time (First Byte) (4)
tBP1
30
50
s
Additional Byte Program Time (After First Byte) (4)
tBP2
2.5
12
s
Page Program Time
tPP
0.4
0.8
ms
Sector Erase Time (4KB)
tSE
50
200/400(5)
ms
Block Erase Time (32KB)
tBE1
180
800
ms
Block Erase Time (64KB)
tBE2
200
1,000
ms
Chip Erase Time
tCE
3
6
s
Notes:
1.
Clock high + Clock low must be less than or equal to 1/fC.
2.
Value guaranteed by design and/or characterization, not 100% tested in production.
3.
Only applicable as a constraint for a Write Status Register instruction when SRP0 bit is set to 1.
4.
For multiple bytes after first byte within a page,
tBPN = tBP1 + tBP2 * N (typical) and tBPN = tBP1 + tBP2 * N (max), where N =
number of bytes programmed.
5.
Max Value tSE with <50K cycles is 200ms and >50K & <100K cycles is 400ms.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WPS512K8LC-25RJM | 512K X 8 STANDARD SRAM, 25 ns, PDSO36 |
| WMF2M8-120DLC5A | 2M X 8 FLASH 5V PROM, 120 ns, CDSO44 |
| WMS128K8L-70FEIEA | 128K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, CDFP32 |
| WPS256K4B-15RJI | 256K X 4 STANDARD SRAM, 15 ns, PDSO32 |
| WF1M32C-100G2I | 4M X 8 FLASH 12V PROM MODULE, 100 ns, CQMA68 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W25Q80BV | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q80BVDAAG | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q80BVDAAP | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q80BVDAIG | 功能描述:SPI FLASH 8MBIT 8-DIP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线） 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) |
| W25Q80BVDAIP | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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