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参数资料
| 型号： | W25X40BVDAIG |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 14/51页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SPI FLASH 4MBIT 8PDIP |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | SpiFlash® |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 4M (512K x 8) |
| 速度： | 104MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-PDIP |
| 包装： | 管件 |
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W25X10BV/20BV/40BV
9.2
INSTRUCTIONS
The instruction set of the W25X10BV/20BV/40BV consists of nineteen basic instructions that are fully
controlled through the SPI bus (see Instruction Set table). Instructions are initiated with the falling
edge of Chip Select (/CS). The first byte of data clocked into the DIO input provides the instruction
code. Data on the DIO input is sampled on the rising edge of clock with most significant bit (MSB) first.
Instructions vary in length from a single byte to several bytes and may be followed by address bytes,
data bytes, dummy bytes (don’t care), and in some cases, a combination. Instructions are completed
with the rising edge of edge /CS. Clock relative timing diagrams for each instruction are included in
figures 4 through 24. All read instructions can be completed after any clocked bit. However, all
instructions that Write, Program or Erase must complete on a byte boundary (CS driven high after a
full 8-bits have been clocked) otherwise the instruction will be terminated. This feature further protects
the device from inadvertent writes. Additionally, while the memory is being programmed or erased, or
when the Status Register is being written, all instructions except for Read Status Register will be
ignored until the program or erase cycle has completed.
9.2.1
Manufacturer and Device Identification
MANUFACTURER ID
Winbond Serial Flash
(M7-M0)
EFh
Device ID
Instruction
W25X10BV
W25X20BV
W25X40BV
(ID7-ID0)
ABh, 90h, 92h
10h
11h
12h
- 14 -
(ID15-ID0)
9Fh
3011h
3012h
3013h
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W25X20BVSNIG | IC SPI FLASH 2MBIT 8SOIC |
| W25X10BVSNIG | IC SPI FLASH 1MBIT 8SOIC |
| T86D476K016EAAL | CAP TANT 47UF 16V 10% 2917 |
| TAJD157K016RNJ | CAP TANT 150UF 16V 10% 2917 |
| CAT28LV64H13-25T | IC EEPROM 64KBIT 250NS 28TSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W25X40BVSNIG | 功能描述:IC SPI FLASH 4MBIT 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) |
| W25X40BVSSIG | 功能描述:IC SPI FLASH 4MBIT 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) |
| W25X40BVSSIG TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:SPIFLASH, 4M-BIT, 4KB UNIFORM 制造商:Winbond 功能描述:SPIFLASH, 4M-BIT, 4KB UNIFORM |
| W25X40BVZPIG | 功能描述:IC SPI FLASH 4MBIT 8WSON RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 标准包装:2,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽） 供应商设备封装:28-TSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:71V256SA15PZGI8 |
| W25X40CLDAIG | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 4MBIT 104MHZ 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 4MBIT 104MHZ 8DIP |
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