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参数资料
| 型号： | W29C020CT12N |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 256K X 8 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDSO32 |
| 封装： | TSOP1-32 |
| 文件页数： | 9/27页 |
| 文件大小： | 176K |
| 代理商： | W29C020CT12N |
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W29C020C
Publication Release Date: Nov. 23, 2006
- 17 -
Revision A7
10.2 Byte/Page-write Cycle Timing Parameters
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Write Cycle (erase and program)
TWC
-
10
mS
Address Setup Time
TAS
0
-
nS
Address Hold Time
TAH
50
-
nS
#WE and #CE Setup Time
TCS
0
-
nS
#WE and #CE Hold Time
TCH
0
-
nS
#OE High Setup Time
TOES
0
-
nS
#OE High Hold Time
TOEH
0
-
nS
#CE Pulse Width
TCP
70
-
nS
#WE Pulse Width
TWP
70
-
nS
#WE High Width
TWPH
100
-
nS
Data Setup Time
TDS
50
-
nS
Data Hold Time
TDH
0
-
nS
Byte Load Cycle Time
TBLC
-
200
μS
Note: All AC timing signals observe the following guideline for determining setup and hold times:
Reference level is VIH for high-level signal and VIL for low-level signal.
10.2.1 #DATA Polling Characteristics (1)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Data Hold Time
TDH
10
-
nS
#OE Hold Time
TOEH
10
-
nS
#OE to Output Delay (2)
TOE
-
nS
Write Recovery Time
TWR
0
-
nS
Notes:(1) These parameters are characterized and not 100% tested.
(2) See TOE spec in A.C. Read Cycle Timing Parameters.
10.3 Toggle Bit Characteristics (1)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Data Hold Time
TDH
10
-
nS
#OE Hold Time
TOEH
10
-
nS
#OE to Output Delay (2)
TOE
-
nS
#OE High Pulse
TOEHP
150
-
nS
Write Recovery Time
TWR
0
-
nS
Notes:(1) These parameters are characterized and not 100% tested.
(2) See TOE spec in A.C. Read Cycle Timing Parameters.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| WV3HG264M72EEU534D4MG | 128M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.5 ns, ZMA200 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| W29C020P-12A | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:256K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
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