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参数资料
| 型号： | W29C022-90 |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 256K X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDIP32 |
| 封装： | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
| 文件页数： | 3/21页 |
| 文件大小： | 303K |
| 代理商： | W29C022-90 |
W29C022
Publication Release Date: April 2001
- 11 -
Revision A2
Power-up Timing
PARAMETER
SYMBOL
TYPICAL
UNIT
Power-up to Read Operation
TPU. READ
100
S
Power-up to Write Operation
TPU. WRITE
5
mS
CAPACITANCE
(VDD = 5.0V, TA = 25
° C, f = 1 MHz)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MAX.
UNIT
DQ Pin Capacitance
CDQ
VDQ = 0V
12
pF
Input Pin Capacitance
CIN
VIN = 0V
6
pF
AC CHARACTERISTICS
AC Test Conditions
(VDD = 5.0V
±10% for 90 nS and 120 nS; VDD = 5.0V ±5% for 70 nS)
PARAMETER
CONDITIONS
Input Pulse Levels
0V to 3V
Input Rise/Fall Time
<5 nS
Input/Output Timing Level
1.5V/1.5V
Output Load
1 TTL Gate and CL = 100 pF for 90/120 nS
CL = 30 pF for 70 nS
AC Test Load and Waveform
+5V
1.8K
1.3K
DOUT
100 pF for 90/120 nS
30 pF for 70 nS
(Including Jig and Scope)
Input
3V
0V
Test Point
1.5V
Output
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WMDE4M4V-70F1M | 4M X 4 EDO DRAM, 70 ns, CDSO24 |
| WMS128K8C-45DRIEA | 128K X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, CDSO32 |
| WMS128K8L-35DRME | 128K X 8 STANDARD SRAM, 35 ns, CDSO32 |
| WS128K32N-85H1Q | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 85 ns, CHIP66 |
| WS128K32-120G4TMA | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 120 ns, CQFP68 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W29C040 | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:512K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29C040-12 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:EEPROM|FLASH|512KX8|CMOS|DIP|32PIN|PLASTIC |
| W29C040-12N | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| W29C040-90 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:EEPROM|FLASH|512KX8|CMOS|DIP|32PIN|PLASTIC |
| W29C040-90B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
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