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参数资料
| 型号： | W29C040-90BN |
| 英文描述： | EEPROM|FLASH|512KX8|CMOS|DIP|32PIN|PLASTIC |
| 中文描述： | 的EEPROM | FLASH动画| 512KX8 |的CMOS |双酯| 32脚|塑料 |
| 文件页数： | 12/22页 |
| 文件大小： | 308K |
| 代理商： | W29C040-90BN |
W29C020C
- 12 -
AC Characteristics, continued
Read Cycle Timing Parameters
(V
DD
= 5.0V
±
10 % for 90 nS and 120 nS; V
DD
= 5.0V
±
5 % for 70 nS, V
SS
= 0V, T
A
= 0 to 70
°
C)
PARAMETER
SYM.
W29C020C-70 W29C020C-90 W29C020C-12
UNIT
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
Read Cycle Time
T
RC
70
-
90
-
120
-
nS
Chip Enable Access Time
T
CE
-
70
-
90
-
120
nS
Address Access Time
T
AA
-
70
-
90
-
120
nS
Output Enable Access Time
T
OE
-
35
-
40
-
50
nS
#CE High to High-Z Output
T
CHZ
-
25
-
25
-
30
nS
#OE High to High-Z Output
T
OHZ
-
25
-
25
-
30
nS
Output Hold from Address change
T
OH
0
-
0
-
0
-
nS
Byte/Page-write Cycle Timing Parameters
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Write Cycle (erase and program)
T
WC
-
-
10
mS
Address Setup Time
T
AS
0
-
-
nS
Address Hold Time
T
AH
50
-
-
nS
#WE and #CE Setup Time
T
CS
0
-
-
nS
#WE and #CE Hold Time
T
CH
0
-
-
nS
#OE High Setup Time
T
OES
0
-
-
nS
#OE High Hold Time
T
OEH
0
-
-
nS
#CE Pulse Width
T
CP
70
-
-
nS
#WE Pulse Width
T
WP
70
-
-
nS
#WE High Width
T
WPH
100
-
-
nS
Data Setup Time
T
DS
50
-
-
nS
Data Hold Time
T
DH
0
-
-
nS
Byte Load Cycle Time
T
BLC
-
-
200
μ
S
Note: All AC timing signals observe the following guideline for determining setup and hold times:
Reference level is V
IH
for high-level signal and V
IL
for low-level signal.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| W29C040P-70B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:EEPROM|FLASH|512KX8|CMOS|LDCC|32PIN|PLASTIC |
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