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参数资料
| 型号： | W29S201T-55 |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 128K X 16 FLASH 5V PROM, 17 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, TSOP1-48 |
| 文件页数： | 9/31页 |
| 文件大小： | 253K |
| 代理商： | W29S201T-55 |
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Preliminary W29S201
Publication Release Date: April 1999
- 17 -
Revision A1
Assynchronous Read Cycle Timing Parameters
(VCC = 5.0V
±10%, VCC = 0V, TA = 0 to 70° C)
PARAMETER
SYM.
W29S201-45
W29S201-55
UNIT
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
Read Cycle Time
TRC
45
-
55
-
nS
Chip Enable Access Time
TCE
-
45
-
55
nS
Address Access Time
TAA
-
45
-
55
nS
Output Enable Access Time
TOE
-
25
-
30
nS
CE Low to Active Output
TCLZ
0
-
0
-
nS
OE Low to Active Output
TOLZ
0
-
0
-
nS
CE High to High-Z Output
TCHZ
-
20
-
25
nS
OE High to High-Z Output
TOHZ
-
20
-
25
nS
Output Hold Time
TOH
0
-
0
-
nS
Note: The parameter of TCLZ, TOLZ, TCHZ, TOHZ are characterized only and is not 100% tested.
Synchronous Burst Read Cycle Timing Parameters
(VCC = 5.0V
± 10%, VCC = 0V, TA = 0 to 70° C)
PARAMETER
SYM.
W29S201-45
W29S201-55
UNIT
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
CLK Frequency
FCLK
-
50
-
40
MHz
CLK Period
TCYC
20
-
25
-
nS
CLK High Time
TKH
7
-
8
-
nS
CLK Low Time
TKL
7
-
8
-
nS
CLK Rise Time
TKLH
-
2
-
3
nS
CLK Fall Time
TKHL
-
2
-
3
nS
CE
Setup Time to CLK
TCES
15
-
20
-
nS
Address Setup Time to CLK
TAKS
12
-
15
-
nS
Address Hold Time From CLK
TAKH
2
-
2
-
nS
ADV
Setup Time to CLK
TADVS
12
-
15
-
nS
ADV
Hold Time From CLK
TADVH
2
-
2
-
nS
MODE
Setup Time to CLK
TMODS
15
-
20
-
nS
MODE
Hold Time From CLK
TMODH
5
-
5
-
nS
CLK to Valid Output
TKQV
-
15
-
17
nS
Output Hold Time From CLK
TKQH
1
-
1
-
nS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WS1M8-20FCA | 1M X 8 STANDARD SRAM, 20 ns, CDFP36 |
| WS1M8-45FM | 1M X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, CDFP36 |
| WS1M8L-45FM | 1M X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, CDFP36 |
| WMS128K8C-35DEIE | 128K X 8 STANDARD SRAM, 35 ns, CDSO32 |
| WE256K8150CI | 256K X 8 EEPROM 5V MODULE, 150 ns, CDIP32 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W2A-1819 | 制造商:Nexans 功能描述:MULTI CONDUCTORS |
| W2A21A101J4T2A | 功能描述:电容器阵列与网络 100v 100pF 5% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 电容:0.1 uF 容差:20 % 电压额定值:6.3 V 元件数量:2 工作温度范围: 外壳长度:0.8 mm 外壳宽度:1.6 mm 外壳高度:0.5 mm 端接类型:SMD/SMT 系列:PG |
| W2A21A101KAT2A | 功能描述:电容器阵列与网络 100v 100pF 20% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 电容:0.1 uF 容差:20 % 电压额定值:6.3 V 元件数量:2 工作温度范围: 外壳长度:0.8 mm 外壳宽度:1.6 mm 外壳高度:0.5 mm 端接类型:SMD/SMT 系列:PG |
| W2A21A220KAT2A | 功能描述:电容器阵列与网络 100v 22pF 10% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 电容:0.1 uF 容差:20 % 电压额定值:6.3 V 元件数量:2 工作温度范围: 外壳长度:0.8 mm 外壳宽度:1.6 mm 外壳高度:0.5 mm 端接类型:SMD/SMT 系列:PG |
| W2A21A330KAT2A | 功能描述:电容器阵列与网络 100v 33pF 10% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 电容:0.1 uF 容差:20 % 电压额定值:6.3 V 元件数量:2 工作温度范围: 外壳长度:0.8 mm 外壳宽度:1.6 mm 外壳高度:0.5 mm 端接类型:SMD/SMT 系列:PG |
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