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参数资料
| 型号： | W49F002UP90BN |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 256K X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PQCC32 |
| 封装： | PLASTIC, LCC-32 |
| 文件页数： | 8/30页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | W49F002UP90BN |
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W49F002U
- 16 -
8. DC CHARACTERISTICS
8.1 Absolute Maximum Ratings
PARAMETER
RATING
UNIT
Power Supply Voltage to Vss Potential
-0.5 to +7.0
V
Operating Temperature
0 to +70
°C
Storage Temperature
-65 to +150
°C
D.C. Voltage on Any Pin to Ground Potential Except A9
-0.5 to VDD +1.0
V
Transient Voltage (<20 nS) on Any Pin to Ground Potential
-1.0 to VDD +1.0
V
Voltage on A9 Pin to Ground Potential
-0.5 to 12.5
V
Note: Exposure to conditions beyond those listed under Absolute Maximum Ratings may adversely affect the life and reliability
of the device.
8.2 DC Operating Characteristics
(VDD = 5.0V
±10%, VSS = 0V, TA = 0 to 70° C)
LIMITS
PARAMETER
SYM.
TEST CONDITIONS
MIN. TYP.
MAX.
UNIT
Power Supply
Current
ICC
#CE = #OE = VIL, #WE = VIH,
all DQs open
Address inputs = VIL/VIH, at f = 5 MHz
-
25
50
mA
Standby VDD Current
(TTL input)
ISB1 #CE = VIH, all DQs open
Other inputs = VIL/VIH
-
2
3
mA
Standby VDD Current
(CMOS input)
ISB2
#CE = VDD -0.3V, all DQs open
Other inputs = VDD -0.3V/ Vss
-
20
100
A
Input Leakage
Current
ILI
VIN = Vss to VDD
-
10
A
Output Leakage
Current
ILO
VOUT = Vss to VDD
-
10
A
Input Low Voltage
VIL
-
-0.3
-
0.8
V
Input High Voltage
VIH
-
2.0
-
VDD +0.5
V
Output Low Voltage
VOL
IOL = 2.1 mA
-
0.45
V
Output High Voltage
VOH
IOH = -0.4 mA
2.4
-
V
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