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参数资料
| 型号： | W982508BH75L |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 29/43页 |
| 文件大小： | 1569K |
| 代理商： | W982508BH75L |
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W982508BH
Publication Release Date: December 13, 2001
- 35 -
Revision A2
Operating Timing Example, continued
Auto Precharge Timing (Read Cycle)
Read
AP
0
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
Q0
Read
AP
Act
Q1
Read
AP
Act
Q1
Q2
AP
Act
Read
Act
Q0
Q3
(1) CAS
Latency=2
Read
Act
AP
When the Auto precharge command is asserted, the period from Bank Activate command to
the start of internal precgarging must be at least t RAS(min).
represents the Read with Auto precharge command.
represents the start of internal precharging.
represents the Bank Activate command.
Note )
tRP
( a ) burst length = 1
Command
( b ) burst length = 2
Command
( c ) burst length = 4
Command
( d ) burst length = 8
Command
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
tRP
( a ) burst length = 1
Command
( b ) burst length = 2
Command
( c ) burst length = 4
Command
( d ) burst length = 8
Command
DQ
Q0
Read
AP
Act
Q0
Read
AP
Act
Q1
Q0
Read
AP
Act
Q1
Q2
Q3
Read
AP
Act
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
(2) CAS
Latency=3
tRP
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