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参数资料
| 型号： | WED3DL644V10BC |
| 厂商： | WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 4M X 64 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA153 |
| 封装： | 17 X 23 MM, BGA-153 |
| 文件页数： | 8/28页 |
| 文件大小： | 918K |
| 代理商： | WED3DL644V10BC |
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White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 www.wedc.com
White Electronic Designs
WED3DL644V
August 2005
Rev. 6
FIG. 7 PAGE READ CYCLE AT DIFFERENT BANK @BURST LENGTH=4
RAS#
CAS#
ADDR
BA
DQM
A10/AP
CKE
CLOCK
CE#
CAc
CBd
CAe
RBb
CAa
RAa
CL = 2
DQ
Read
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
Read
(B-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Read
(B-Bank)
Precharge
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
Row Active
(A-Bank)
WE#
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
HIGH
RAa
QAa2
QAa3
QBb0
QBb1
QBb2
QBb3
QAc0
QAc1
QBd0
QBd1 QAe0
QAe1
CL = 3
QAa2
QAa3
QAa0
QAa1
QAa0
QAa1
QBb0
QBb1
QBb3
QBb2
QAc0
QAc1
QBd0 QBd1
QAe0
QAe1
DON'T CARE
CBb
Note 2
Note 1
RBb
NOTES:
1.
CE# can be don't care when RAS#, CAS# and WE# are high at the clock high going edge.
2.
To interrupt a burst read by row precharge, both the read and the precharge banks must be the same.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W29GL032CT7A | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 80 ns, PBGA48 |
| WME128K8-150CCA | 128K X 8 EEPROM 5V, 150 ns, CDIP32 |
| WMS512K8VL-100DECEA | 512K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, CDSO32 |
| WMS512K8VL-85DECE | 512K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, CDSO32 |
| WF2M32B-90HM5A | 8M X 8 FLASH 5V PROM MODULE, 90 ns, CPGA66 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| WED3DL644V10BI | 制造商:WEDC 制造商全称:White Electronic Designs Corporation 功能描述:4Mx64 SDRAM |
| WED3DL644V7BC | 制造商:WEDC 制造商全称:White Electronic Designs Corporation 功能描述:4Mx64 SDRAM |
| WED3DL644V7BI | 制造商:WEDC 制造商全称:White Electronic Designs Corporation 功能描述:4Mx64 SDRAM |
| WED3DL644V8BC | 制造商:WEDC 制造商全称:White Electronic Designs Corporation 功能描述:4Mx64 SDRAM |
| WED3DL644V8BI | 制造商:WEDC 制造商全称:White Electronic Designs Corporation 功能描述:4Mx64 SDRAM |
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