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参数资料
| 型号： | WED8L24514V15BI |
| 厂商： | WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORP |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 512K X 24 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 15 ns, PBGA119 |
| 封装： | 14 X 22 MM, MO-163, BGA-119 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 614K |
| 代理商： | WED8L24514V15BI |
4
White Electronic Designs Corporation Westborough, MA (508) 366-5151
WED8L24514V
NOTE 1: Parameter is guaranteed, but not tested.
AC CHARACTERISTICS WRITE CYCLE
FIG. 6 WRITE CYCLE 1 - W CONTROLLED
A
D
tAVWH
tELWH
tWHAX
tWLWH
tDVWH
tWLQZ
tWHQX
tAVWL
tWHDX
tAVAV
DATA VALID
HIGH Z
W
E
Q
Symbol
10ns
12ns
15ns
Parameter
JEDEC
Alt.
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Units
Write Cycle Time
tAVAV
tWC
10
12
15
ns
Chip Enable to End of Write
tELWH
tCW
89
9
ns
tELEH
tCW
89
9
ns
Address Setup Time
tAVWL
tAS
00
0
ns
tAVEL
tAS
00
0
ns
Address Valid to End of Write
tAVWH
tAW
89
10
ns
tAVEH
tAW
89
10
ns
Write Pulse Width
tWLWH
tWP
810
11
ns
tWLEH
tWP
810
11
ns
Write Recovery Time
tWHAX
tWR
00
0
ns
tEHAX
tWR
00
0
ns
Data Hold Time
tWHDX
tDH
00
0
ns
tEHDX
tDH
00
0
ns
Write to Output in High Z1
tWLQZ
tWHZ
05
0
6
0
7
ns
Data to Write Time
tDVWH
tDW
56
7
ns
tDVEH
tDW
56
7
ns
Output Active from End of Write1
tWHQX
tWLZ
33
3
ns
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参数描述 |
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