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参数资料
| 型号： | WMS512K8-120 |
| 英文描述： | 512Kx8 Monolithic SRAM(512Kx8单片静态RAM（存取时间120ns）) |
| 中文描述： | 512Kx8单片的SRAM（512Kx8单片静态随机存储器（存取时间120ns）） |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | WMS512K8-120 |
6
White Microelectronics Phoenix, AZ (602) 437-1520
2
S
WMS512K8-XXX
DEVICE TYPE
SPEED
PACKAGE
SMD NO.
512K x 8 SRAM Monolithic
512K x 8 SRAM Monolithic
512K x 8 SRAM Monolithic
512K x 8 SRAM Monolithic
120ns
100ns
85ns
70ns
32 pin DIP (C)
32 pin DIP (C)
32 pin DIP (C)
32 pin DIP (C)
5962-95613 01HYX
5962-95613 02HYX
5962-95613 03HYX
5962-95613 04HYX
512K x 8 SRAM Monolithic
512K x 8 SRAM Monolithic
512K x 8 SRAM Monolithic
512K x 8 SRAM Monolithic
120ns
100ns
85ns
70ns
32 lead SOJ Evol (DE)
32 lead SOJ Evol (DE)
32 lead SOJ Evol (DE)
32 lead SOJ Evol (DE)
5962-95613 01HTX
5962-95613 02HTX
5962-95613 03HTX
5962-95613 04HTX
ORDERING INFORMATION
LEAD FINISH:
Blank = Gold plated leads
A = Solder dip leads
SPECIAL PROCESSING:
E = Epitaxial Layer
DEVICE GRADE:
M= Military Screened
I = Industrial
C = Commercial
-55
°
C to +125
°
C
-40
°
C to +85
°
C
0
°
C to +70
°
C
PACKAGE:
C = 32 Pin Ceramic 0.600" DIP (Package 300)
DE = 32 Lead Ceramic SOJ (Package 101) Evolutionary
ACCESS TIME (ns)
IMPROVEMENT MARK
L = Low Power Data Retention
ORGANIZATION, 512K x 8
SRAM
MONOLITHIC
WHITE MICROELECTRONICS
W M S 512K 8 L - XXX X X X X
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