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参数资料
| 型号： | WMS512K8V-70 |
| 英文描述： | 512Kx8 Monolithic SRAM(512Kx8单片静态RAM（存取时间70ns）) |
| 中文描述： | 512Kx8单片的SRAM（512Kx8单片静态随机存储器（存取时间70ns）） |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | WMS512K8V-70 |
White Microelectronics Phoenix, AZ (602) 437-1520
2
S
1
WMS512K8V-XXX
512Kx8 MONOLITHIC SRAM
PRELIMINARY*
FEATURES
I
Access Times 70, 85, 100, 120ns
I
MIL-STD-883 Compliant Devices Available
I
Low Voltage Operation
I
Evolutionary, Corner Power/Ground Pinout
JEDEC Approved
32 pin Ceramc DIP (Package 300)
32 lead Ceramc SOJ (Package 101)
I
Commercial, Industrial and Military Temperature Ranges
I
Low Power CMOS
I
Low Voltage Operation
3.3V
±
10% Power Supply
I
Low Power Data Retention
I
TTL Compatible Inputs and Outputs
*
Ths data sheet describes a product under development, not fuly
characterized andis subect to change without notice.
EVOLUTIONARY PINOUT
32 DIP
32 CSOJ (DE)
TOP VIEW
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A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
V
CC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
A
0-18
I/O
0-7
CS
OE
WE
V
CC
GND
Address Inputs
Data Input/Output
Chip Select
Output Enable
Write Enable
+3.3V Power Supply
Ground
PIN DESCRIPTION
April 1998
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| SLO-15 | Fuse |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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